规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta),23A(Tc) 2.1W(Ta),41.5W(Tc) TO-220
型号:
AOT2618L
仓库库存编号:
785-1438-5-ND
别名:785-1438-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 86W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN015-60PS,127
仓库库存编号:
1727-4656-ND
别名:1727-4656
568-5773
568-5773-5
568-5773-5-ND
568-5773-ND
934064328127
PSMN015-60PS,127-ND
PSMN01560PS127
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC028N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC028N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC028N06LS3 GCT
BSC028N06LS3 GCT-ND
BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 99W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7546PBF
仓库库存编号:
IRFB7546PBF-ND
别名:SP001560262
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ24PBF
仓库库存编号:
IRFZ24PBF-ND
别名:*IRFZ24PBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76423P3
仓库库存编号:
HUF76423P3FS-ND
别名:HUF76423P3-ND
HUF76423P3FS
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9020PBF
仓库库存编号:
IRFD9020PBF-ND
别名:*IRFD9020PBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD50P06-15L_GE3
仓库库存编号:
SQD50P06-15L_GE3CT-ND
别名:SQD50P06-15L_GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 24W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF13N06L
仓库库存编号:
FQPF13N06L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 23A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF40NF06
仓库库存编号:
497-4343-5-ND
别名:497-4343-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 18A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z34PBF
仓库库存编号:
IRF9Z34PBF-ND
别名:*IRF9Z34PBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34PBF
仓库库存编号:
IRFZ34PBF-ND
别名:*IRFZ34PBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ14SPBF
仓库库存编号:
IRFZ14SPBF-ND
别名:IRFZ14SPBFCT
IRFZ14SPBFCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9024PBF
仓库库存编号:
IRFD9024PBF-ND
别名:*IRFD9024PBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z24PBF
仓库库存编号:
IRF9Z24PBF-ND
别名:*IRF9Z24PBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 1.1A(Ta) 850mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN4306AV
仓库库存编号:
ZVN4306AV-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 1.1A(Ta) 850mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN4306A
仓库库存编号:
ZVN4306A-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 85A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85A(Tc) 268W(Tc) TO-220
型号:
AOT460
仓库库存编号:
785-1146-5-ND
别名:785-1146-1
785-1146-1-ND
785-1146-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 17A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 17A(Tc) 47W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF27P06
仓库库存编号:
FQPF27P06FS-ND
别名:FQPF27P06-ND
FQPF27P06FS
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 120W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP50N06
仓库库存编号:
FQP50N06FS-ND
别名:FQP50N06-ND
FQP50N06FS
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 70A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
RFP70N06
仓库库存编号:
RFP70N06-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34SPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34SPBF-ND
别名:IRF9Z34SPBFCT
IRF9Z34SPBFCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN004-60B,118
仓库库存编号:
1727-5267-1-ND
别名:1727-5267-1
568-6592-1
568-6592-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN1R7-60BS,118
仓库库存编号:
1727-7106-1-ND
别名:1727-7106-1
568-9476-1
568-9476-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 245W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB050AN06A0
仓库库存编号:
FDB050AN06A0CT-ND
别名:FDB050AN06A0CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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