规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
EPC
TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Ta) 模具
型号:
EPC2020
仓库库存编号:
917-1105-1-ND
别名:917-1105-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Sanken
MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP
详细描述:Mosfet Array 5 N-Channel, Common Source 60V 10A 5W Through Hole 12-SIP
型号:
SLA5085
仓库库存编号:
SLA5085-ND
别名:SLA5085 DK
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
不受无铅要求限制
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Sanken
MOSFET 6N-CH 60V 5A 15-SIP
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 60V 5A 5W Through Hole 15-SIP
型号:
SLA5073
仓库库存编号:
SLA5073-ND
别名:SLA5073 DK
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
不受无铅要求限制
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Sanken
MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP
详细描述:Mosfet Array 5 P-Channel, Common Source 60V 5A 5W Through Hole 12-SIP
型号:
SLA5086
仓库库存编号:
SLA5086-ND
别名:SLA5086 DK
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
不受无铅要求限制
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Sanken
MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP
详细描述:Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 10A 5W Through Hole 12-SIP
型号:
SLA5064
仓库库存编号:
SLA5064-ND
别名:SLA5064 DK
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
详细描述:通孔 P 沟道 750mA(Tj) 360mW(Tc) TO-39
型号:
VP2206N2
仓库库存编号:
VP2206N2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84PH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS84PH6433XTMA1CT-ND
别名:BSS84PH6433XTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
2N7002H6327XTSA2
仓库库存编号:
2N7002H6327XTSA2CT-ND
别名:2N7002H6327XTSA2CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84PH6327XTSA2
仓库库存编号:
BSS84PH6327XTSA2CT-ND
别名:BSS84PH6327XTSA2CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 150mA(Ta) 300mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS84PWH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS84PWH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS84PWH6327XTSA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002NH6327XTSA2
仓库库存编号:
SN7002NH6327XTSA2CT-ND
别名:SN7002NH6327XTSA2CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 170mA 285mW Surface Mount US6
型号:
SSM6N7002CFU,LF
仓库库存编号:
SSM6N7002CFULFCT-ND
别名:SSM6N7002CFULFCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS138WH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS138WH6327XTSA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
SN7002WH6327XTSA1
仓库库存编号:
SN7002WH6327XTSA1CT-ND
别名:SN7002WH6327XTSA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138NH6327XTSA2
仓库库存编号:
BSS138NH6327XTSA2CT-ND
别名:BSS138NH6327XTSA2CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.25A UMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
RSU002N06T106
仓库库存编号:
RSU002N06T106CT-ND
别名:RSU002N06T106CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
2N7002DWH6327XTSA1
仓库库存编号:
2N7002DWH6327XTSA1CT-ND
别名:2N7002DW H6327CT
2N7002DW H6327CT-ND
2N7002DWH6327XTSA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN601WK-7
仓库库存编号:
DMN601WKDICT-ND
别名:DMN601WK-FCT
DMN601WK-FCT-ND
DMN601WK-FDICT
DMN601WK-FDICT-ND
DMN601WKDICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 310mW Surface Mount SOT-363
型号:
2N7002DWQ-7-F
仓库库存编号:
2N7002DWQ-7-FDICT-ND
别名:2N7002DWQ-7-FDICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000_D75Z
仓库库存编号:
2N7000_D75ZFSCT-ND
别名:2N7000_D75ZFSCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SMINI6-F3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 100mA 150mW Surface Mount SMini6-F3-B
型号:
FC6546010R
仓库库存编号:
FC6546010RCT-ND
别名:FC6546010RCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NH6327XTSA2
仓库库存编号:
BSS159NH6327XTSA2CT-ND
别名:BSS159NH6327XTSA2CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-346
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) SMT3
型号:
RHK003N06T146
仓库库存编号:
RHK003N06T146CT-ND
别名:RHK003N06T146CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 350mW Surface Mount SOT-26
型号:
CMXDM7002A TR
仓库库存编号:
CMXDM7002A CT-ND
别名:CMXDM7002A CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 600mW(Ta) X1-DFN1616-6(E 类)
型号:
DMN6070SFCL-7
仓库库存编号:
DMN6070SFCL-7DICT-ND
别名:DMN6070SFCL-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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