规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-523
型号:
DMN66D0LT-7
仓库库存编号:
DMN66D0LTDICT-ND
别名:DMN66D0LTDICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMP6110SSS-13
仓库库存编号:
DMP6110SSS-13DICT-ND
别名:DMP6110SSS-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS606NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS606NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS606NH6327XTSA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.36A(Ta) 2.12W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMN6A08KTC
仓库库存编号:
ZXMN6A08KTCCT-ND
别名:ZXMN6A08KTCCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP315PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP315PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP315PH6327XTSA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP171PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP171PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP171PH6327XTSA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP170PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP170PH6327XTSA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
DMN6066SSS-13
仓库库存编号:
DMN6066SSS-13CT-ND
别名:DMN6066SSS-13CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 38W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76407D3ST
仓库库存编号:
HUF76407D3STFSCT-ND
别名:HUF76407D3STFSCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD09P06PL G
仓库库存编号:
SPD09P06PL GCT-ND
别名:SPD09P06PL GCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMP6A17N8TC
仓库库存编号:
ZXMP6A17N8TCCT-ND
别名:ZXMP6A17N8TCCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.8A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD20N06TM
仓库库存编号:
FQD20N06TMCT-ND
别名:FQD20N06TMCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3458BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3458BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3458BDV-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 2.1W(Ta),55W(Tj) DPAK
型号:
NTD18N06LT4G
仓库库存编号:
NTD18N06LT4GOSCT-ND
别名:NTD18N06LT4GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.3A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
DMN6066SSD-13
仓库库存编号:
DMN6066SSD-13CT-ND
别名:DMN6066SSD-13CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 40W(Tc) DPAK
型号:
STD16NF06T4
仓库库存编号:
497-15667-1-ND
别名:497-15667-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 3.8W(Ta),42W(Tc) TO-252-3
型号:
FDD5612
仓库库存编号:
FDD5612CT-ND
别名:FDD5612CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR024TRPBF
仓库库存编号:
IRFR024PBFCT-ND
别名:*IRFR024TRPBF
IRFR024PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7478TRPBF
仓库库存编号:
IRF7478PBFCT-ND
别名:*IRF7478TRPBF
IRF7478PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD12N06RLESM9A
仓库库存编号:
RFD12N06RLESM9ACT-ND
别名:RFD12N06RLESM9ACT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4436DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4436DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4436DY-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4436DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4436DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4436DY-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 1.6W(Ta),32W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH14006NH,L1Q
仓库库存编号:
TPH14006NHL1QCT-ND
别名:TPH14006NHL1QCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.1A(Ta),40A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD24AN06LA0_F085
仓库库存编号:
FDD24AN06LA0_F085CT-ND
别名:FDD24AN06LA0_F085CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO615N G
仓库库存编号:
BSO615NGINCT-ND
别名:BSO615NXTINCT
BSO615NXTINCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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