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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN6A25KTC
  仓库库存编号：ZXMN6A25KTCCT-ND
  别名：ZXMN6A25KTCCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3806TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3806TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3806TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：CSD88539NDT
  仓库库存编号：296-37796-1-ND
  别名：296-37796-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS065N06FU6TB
  仓库库存编号：RSS065N06FU6TBCT-ND
  别名：RSS065N06FU6TBCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30P06P G
  仓库库存编号：SPD30P06P GCT-ND
  别名：SPD30P06P GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22A SOT428
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 20W（Ta） CPT3
  
  型号：RSD220N06TL
  仓库库存编号：RSD220N06TLCT-ND
  别名：RSD220N06TLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.9A 1.81W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMP6A16DN8TA
  仓库库存编号：ZXMP6A16DN8CT-ND
  别名：ZXMP6A16DN8CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），69W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD5353
  仓库库存编号：FDD5353CT-ND
  别名：FDD5353CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3806TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS3806TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS3806TRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB034N06L3 G
  仓库库存编号：IPB034N06L3 GCT-ND
  别名：IPB034N06L3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010EZSTRLP
  仓库库存编号：IRF1010EZSTRLPCT-ND
  别名：IRF1010EZSTRLPCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP08P06PHXKSA1
  仓库库存编号：SPP08P06PHXKSA1-ND
  别名：SP000446908
  SPP08P06P G
  SPP08P06P G-ND
  SPP08P06P H
  SPP08P06P H-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRLU014PBF
  仓库库存编号：IRLU014PBF-ND
  别名：*IRLU014PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18533Q5AT
  仓库库存编号：296-41959-1-ND
  别名：296-41959-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22.1A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.1A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS030N06B
  仓库库存编号：FDMS030N06BCT-ND
  别名：FDMS030N06BCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 330mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0606L-G
  仓库库存编号：VN0606L-G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15.7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF20N06L
  仓库库存编号：FQPF20N06LFS-ND
  别名：FQPF20N06L-ND
  FQPF20N06LFS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU014PBF
  仓库库存编号：IRFU014PBF-ND
  别名：*IRFU014PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9024PBF
  仓库库存编号：IRFU9024PBF-ND
  别名：*IRFU9024PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 79A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1018EPBF
  仓库库存编号：IRF1018EPBF-ND
  别名：SP001574502
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14SPBF
  仓库库存编号：IRF9Z14SPBF-ND
  别名：*IRF9Z14SPBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 114W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP55N06
  仓库库存编号：FDP55N06-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP052N06L3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP052N06L3GXKSA1-ND
  别名：IPP052N06L3 G
  IPP052N06L3 G-ND
  SP000680802
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 22.5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF30N06L
  仓库库存编号：FQPF30N06L-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1010EPBF
  仓库库存编号：IRF1010EPBF-ND
  别名：*IRF1010EPBF
  SP001569818
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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