规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 160W(Tc) TO-220
型号:
IRFB7540PBF
仓库库存编号:
IRFB7540PBF-ND
别名:SP001563988
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU024PBF
仓库库存编号:
IRFU024PBF-ND
别名:*IRFU024PBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ14GPBF
仓库库存编号:
IRFIZ14GPBF-ND
别名:*IRFIZ14GPBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 110W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76429D3
仓库库存编号:
HUFA76429D3FS-ND
别名:HUFA76429D3-ND
HUFA76429D3FS
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 65A(Tc) 135W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP65N06
仓库库存编号:
FDP65N06-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 57A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44VZSPBF
仓库库存编号:
IRFZ44VZSPBF-ND
别名:*IRFZ44VZSPBF
SP001557886
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3006TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3006TRLPBFCT-ND
别名:IRFS3006TRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ48GPBF
仓库库存编号:
IRFIZ48GPBF-ND
别名:*IRFIZ48GPBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014
仓库库存编号:
IRLR014-ND
别名:*IRLR014
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 53A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 62W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF85N06
仓库库存编号:
FQPF85N06-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7530PBF
仓库库存编号:
IRFB7530PBF-ND
别名:SP001575524
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3206PBF
仓库库存编号:
IRFB3206PBF-ND
别名:64-0088PBF
64-0088PBF-ND
SP001566480
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP265N6F6AG
仓库库存编号:
497-15558-5-ND
别名:497-15558-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 195A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 341W(Tc) TO-247
型号:
IRFP7530PBF
仓库库存编号:
IRFP7530PBF-ND
别名:SP001560520
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP054PBF
仓库库存编号:
IRFP054PBF-ND
别名:*IRFP054PBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
NDP7060
仓库库存编号:
NDP7060-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL60B216
仓库库存编号:
IRL60B216-ND
别名:SP001568416
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3006PBF
仓库库存编号:
IRFB3006PBF-ND
别名:SP001570606
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 333W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP020N06B_F102
仓库库存编号:
FDP020N06B_F102-ND
别名:FDP020N06B
FDP020N06B-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Sanken
MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 60V 7A 4.8W Through Hole 15-ZIP
型号:
SLA5065
仓库库存编号:
SLA5065-ND
别名:SLA5065 DK
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
不受无铅要求限制
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Sanken
MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 60V 7A 5W Through Hole 15-SIP
型号:
SLA5068-LF830
仓库库存编号:
SLA5068-LF830-ND
别名:SLA5068
SLA5068 DK
SLA5068-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
不受无铅要求限制
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 250mW Surface Mount SOT-363
型号:
DMN66D0LDW-7
仓库库存编号:
DMN66D0LDWDICT-ND
别名:DMN66D0LDWDICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08P06PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD08P06PGBTMA1CT-ND
别名:SPD08P06PGBTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 700mW(Ta),42W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN7R506NH,L1Q
仓库库存编号:
TPN7R506NHL1QCT-ND
别名:TPN7R506NHL1QCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta),21A(Tc) 2.4W(Ta),30W(Tc) DIRECTFET SB
型号:
AUIRF7640S2TR
仓库库存编号:
AUIRF7640S2CT-ND
别名:AUIRF7640S2CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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