以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：2N7002K
  仓库库存编号：2N7002KCT-ND
  别名：2N7002KCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.38A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 380mA（Ta） 380mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN62D0U-13
  仓库库存编号：DMN62D0U-13DICT-ND
  别名：DMN62D0U-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：MMBF170LT1G
  仓库库存编号：MMBF170LT1GOSCT-ND
  别名：MMBF170LT1GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.34A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 340mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMN62D0UW-7
  仓库库存编号：DMN62D0UW-7DICT-ND
  别名：DMN62D0UW-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 310mA（Ta） 480mW（Ta） X1-DFN1212-3
  
  型号：DMN62D0LFD-7
  仓库库存编号：DMN62D0LFD-7DICT-ND
  别名：DMN62D0LFD-7CT
  DMN62D0LFD-7CT-ND
  DMN62D0LFD-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59
  
  型号：2SJ168TE85LF
  仓库库存编号：2SJ168TE85LFCT-ND
  别名：2SJ168TE85LFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
  
  型号：2N7002-HF
  仓库库存编号：641-1756-1-ND
  别名：641-1756-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 150mW Surface Mount ES6
  
  型号：SSM6N7002BFE,LM
  仓库库存编号：SSM6N7002BFELMCT-ND
  别名：SSM6N7002BFELMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.38A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 380mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN61D9U-7
  仓库库存编号：DMN61D9U-7DICT-ND
  别名：DMN61D9U-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：MMBF170Q-7-F
  仓库库存编号：MMBF170Q-7-FDICT-ND
  别名：MMBF170Q-7-FDICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN6140LQ-7
  仓库库存编号：DMN6140LQ-7DICT-ND
  别名：DMN6140LQ-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DMN601VKQ-7
  仓库库存编号：DMN601VKQ-7DICT-ND
  别名：DMN601VKQ-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 60V SOT563
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 500mA, 360mA 450mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DMG1029SV-7
  仓库库存编号：DMG1029SV-7DICT-ND
  别名：DMG1029SV-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 150mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：2N7002VC-7
  仓库库存编号：2N7002VC-7DICT-ND
  别名：2N7002VC-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Tc） 350mW（Ta） SOT-23
  
  型号：2N7002 TR13
  仓库库存编号：2N7002 TR13CT-ND
  别名：2N7002 TR13CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.25A VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RSM002N06T2L
  仓库库存编号：RSM002N06T2LCT-ND
  别名：RSM002N06T2LCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 250mW Surface Mount SOT-563F
  
  型号：2N7002VA
  仓库库存编号：2N7002VACT-ND
  别名：2N7002VACT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD
  
  型号：2SK2231(TE16R1,NQ)
  仓库库存编号：2SK2231TE16RQCT-ND
  别名：2SK2231TE16RQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMN66D0LW-7
  仓库库存编号：DMN66D0LW-7DICT-ND
  别名：DMN66D0LW-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240mA（Ta） 350mW（Ta）
  
  型号：2N7002E-T1-GE3
  仓库库存编号：2N7002E-T1-GE3CT-ND
  别名：2N7002E-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMN601WKQ-7
  仓库库存编号：DMN601WKQ-7DICT-ND
  别名：DMN601WKQ-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DMN601VK-7
  仓库库存编号：DMN601VKDICT-ND
  别名：DMN601VK-FCT
  DMN601VK-FCT-ND
  DMN601VK-FDICT
  DMN601VK-FDICT-ND
  DMN601VKDICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD18541F5
  仓库库存编号：296-44374-1-ND
  别名：296-44374-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS270_D74Z
  仓库库存编号：BS270_D74ZFSCT-ND
  别名：BS270_D74ZFSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 350mA 320mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：DMN62D0UDW-7
  仓库库存编号：DMN62D0UDW-7DICT-ND
  别名：DMN62D0UDW-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索