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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA76409D3ST
  仓库库存编号：HUFA76409D3STCT-ND
  别名：HUFA76409D3STCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR014TRPBF
  仓库库存编号：IRLR014PBFCT-ND
  别名：*IRLR014TRPBF
  IRLR014PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 350mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：CMLDM7002AJ TR
  仓库库存编号：CMLDM7002AJ CT-ND
  别名：CMLDM7002AJ CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 11.4A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP11P06
  仓库库存编号：FQP11P06-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP112-TL-H
  仓库库存编号：ATP112-TL-HOSCT-ND
  别名：ATP112-TL-HOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN3NF06
  仓库库存编号：497-4764-1-ND
  别名：497-4764-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Tc） 41.7W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS5362L_F085
  仓库库存编号：FDMS5362L_F085CT-ND
  别名：FDMS5362L_F085CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），75W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18537NQ5AT
  仓库库存编号：296-37747-1-ND
  别名：296-37747-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  含铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN11006NL,LQ
  仓库库存编号：TPN11006NLLQCT-ND
  别名：TPN11006NLLQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 53W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQ7415AEN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ7415AEN-T1_GE3TR-ND
  别名：SQ7415AEN-T1-GE3
  SQ7415AEN-T1-GE3TR
  SQ7415AEN-T1-GE3TR-ND
  SQ7415AEN-T1_GE3TR
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.2A（Ta），23.6A（Tc） 1.9W（Ta） TO-252
  
  型号：DMPH6050SK3Q-13
  仓库库存编号：DMPH6050SK3Q-13DICT-ND
  别名：DMPH6050SK3Q-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），31A（Tc） 1.16W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT6015LPS-13
  仓库库存编号：DMT6015LPS-13DICT-ND
  别名：DMT6015LPS-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1W（Ta），23W（Tc） TP-FA
  
  型号：SFT1446-TL-H
  仓库库存编号：SFT1446-TL-HOSCT-ND
  别名：SFT1446-TL-HOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA00EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA00EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA00EP-T1_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 700mW（Ta），18W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN22006NH,LQ
  仓库库存编号：TPN22006NHLQCT-ND
  别名：TPN22006NHLQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 33W（Tc）
  
  型号：SQS462EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS462EN-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS462EN-T1_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 3.1W（Ta），59W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：GKI06109
  仓库库存编号：GKI06109CT-ND
  别名：GKI06109CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 37W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD15N06-42L_GE3
  仓库库存编号：SQD15N06-42L_GE3CT-ND
  别名：SQD15N06-42L_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tj） D-Pak
  
  型号：FDD86580_F085
  仓库库存编号：FDD86580_F085CT-ND
  别名：FDD86580_F085CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 16.7A (Tc) 2.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMNH6042SSDQ-13
  仓库库存编号：DMNH6042SSDQ-13DICT-ND
  别名：DMNH6042SSDQ-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS3P6F6
  仓库库存编号：497-13785-1-ND
  别名：497-13785-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.3A（Ta），57A（Tc） 2.6W（Ta） TO-252
  
  型号：DMT6009LK3-13
  仓库库存编号：DMT6009LK3-13DICT-ND
  别名：DMT6009LK3-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.8A（Ta） 1.25W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMT6009LSS-13
  仓库库存编号：DMT6009LSS-13DICT-ND
  别名：DMT6009LSS-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4264
  仓库库存编号：785-1697-1-ND
  别名：785-1697-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 13.5A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），80A（Tc） 2.2W（Ta）, 113W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT6010LPS-13
  仓库库存编号：DMT6010LPS-13DICT-ND
  别名：DMT6010LPS-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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