规格：漏源电压（Vdss） 60V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2940)
分立半导体产品
(2940)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (102)
Microchip Technology (32)
Central Semiconductor Corp (9)
Comchip Technology (2)
Diodes Incorporated (327)
EPC (10)
Infineon Technologies (486)
IXYS (13)
IXYS Integrated Circuits Division (2)
Micro Commercial Co (8)
Nexperia USA Inc. (145)
NXP USA Inc. (34)
Fairchild/ON Semiconductor (396)
ON Semiconductor (442)
Panasonic Electronic Components (8)
Renesas Electronics America (40)
Rohm Semiconductor (48)
Sanken (36)
STMicroelectronics (142)
Taiwan Semiconductor Corporation (85)
Texas Instruments (29)
Toshiba Semiconductor and Storage (78)
Trinamic Motion Control GmbH (1)
TT Electronics/Optek Technology (3)
Vishay Siliconix (462)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta），82A（Tc） 3.1W（Ta），96W（Tc） DPAK
型号：
NVD5863NLT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD5863NLT4G-VF01CT-ND
别名：NVD5863NLT4G-VF01CT
NVD5863NLT4GOSCT
NVD5863NLT4GOSCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET ARRAY N-CH 60V 7.6A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.6A (Ta) 1.4W, 1.9W Surface Mount 8-SO
型号：
DMTH6016LSDQ-13
仓库库存编号：
DMTH6016LSDQ-13DICT-ND
别名：DMTH6016LSDQ-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 14.2A
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.2A（Ta），59A（Tc） 3.2W（Ta）, 60W（Tc） TO-252
型号：
DMTH6009LK3-13
仓库库存编号：
DMTH6009LK3-13DICT-ND
别名：DMTH6009LK3-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 13.5A
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），100A（Tc） 2.6W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH6010LPS-13
仓库库存编号：
DMTH6010LPS-13DICT-ND
别名：DMTH6010LPS-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7308DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7308DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7308DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 18.3A（Tc） 2.3W（Ta），38.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD19P06-60-E3
仓库库存编号：
SUD19P06-60-E3CT-ND
别名：SUD19P06-60-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 75W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL12P6F6
仓库库存编号：
497-13840-1-ND
别名：497-13840-1
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ465EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ465EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ465EP-T1_GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.8A（Ta），70A（Tc） 31W（Ta） TO-252
型号：
DMTH6010LK3Q-13
仓库库存编号：
DMTH6010LK3Q-13DICT-ND
别名：DMTH6010LK3Q-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5820NLTWG
仓库库存编号：
NVTFS5820NLTWGOSCT-ND
别名：NVTFS5820NLTWGOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 90A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-252-4L
型号：
DMTH6005LK3Q-13
仓库库存编号：
DMTH6005LK3Q-13DICT-ND
别名：DMTH6005LK3Q-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD30NF06T4
仓库库存编号：
497-6562-1-ND
别名：497-6562-1
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 2.8W（Ta），60W（Tc） TO-252
型号：
FDD5680
仓库库存编号：
FDD5680CT-ND
别名：FDD5680CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 6.8W（Tc）
型号：
SQ4850EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4850EY-T1_GE3CT-ND
别名：SQ4850EY-T1_GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMTH6004SK3-13
仓库库存编号：
DMTH6004SK3-13DICT-ND
别名：DMTH6004SK3-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.2A（Ta），59A（Tc） 3.2W（Ta）, 60W（Tc） TO-252
型号：
DMTH6009LK3Q-13
仓库库存编号：
DMTH6009LK3Q-13DICT-ND
别名：DMTH6009LK3Q-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMNH6012SPS-13
仓库库存编号：
DMNH6012SPS-13DICT-ND
别名：DMNH6012SPS-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
DMT6010LSS-13
仓库库存编号：
DMT6010LSS-13DICT-ND
别名：DMT6010LSS-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 22.7A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FQD30N06TM
仓库库存编号：
FQD30N06TMCT-ND
别名：FQD30N06TMCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.4A 1.4W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4948BEY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4948BEY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4948BEY-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.9W（Ta），48W（Tc） TO-252-3
型号：
MTD3055VL
仓库库存编号：
MTD3055VLCT-ND
别名：MTD3055VLCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Ta），50A（Tc） 115W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD13AN06A0_F085
仓库库存编号：
FDD13AN06A0_F085CT-ND
别名：FDD13AN06A0_F085CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 98A（Tc） 115W（Tc） DPAK-3
型号：
NTD5862NT4G
仓库库存编号：
NTD5862NT4GOSCT-ND
别名：NTD5862NT4GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 49A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 44W（Tc） DPAK
型号：
NVD5C668NLT4G
仓库库存编号：
NVD5C668NLT4GOSCT-ND
别名：NVD5C668NLT4GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 7A
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 4W Surface Mount 8-SO
型号：
SQ4946AEY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4946AEY-T1_GE3CT-ND
别名：SQ4946AEY-T1_GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
