规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 310mA(Ta) 260mW(Ta) SOT-323-3
型号:
2N7002PW,115
仓库库存编号:
1727-4793-1-ND
别名:1727-4793-1
568-5987-1
568-5987-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138NH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS138NH6433XTMA1CT-ND
别名:BSS138NH6433XTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
NX138BKS/SC-88/REEL 7" Q1/T1 *
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 210mA (Ta) 320mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
NX138BKSX
仓库库存编号:
1727-2733-1-ND
别名:1727-2733-1
568-13297-1
568-13297-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Ta) 323mW(Ta), 554mW(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV450ENEAR
仓库库存编号:
1727-2532-1-ND
别名:1727-2532-1
568-12971-1
568-12971-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 300mW(Ta),1.06W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSS138AKAR
仓库库存编号:
1727-1261-1-ND
别名:1727-1261-1
568-10469-1
568-10469-1-ND
BSS138AKA,215
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
NX138AKS/SC-88/REEL 7" Q1/T1 *
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 170mA (Ta) 325mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
NX138AKSX
仓库库存编号:
1727-2732-1-ND
别名:1727-2732-1
568-13296-1
568-13296-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 270mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) 6-TSSOP
型号:
NX7002BKSX
仓库库存编号:
1727-2664-1-ND
别名:1727-2664-1
568-13169-1
568-13169-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 350mW(Ta),3.1W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
NX7002BKMBYL
仓库库存编号:
1727-2231-1-ND
别名:1727-2231-1
568-12499-1
568-12499-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 480mW(Ta), 1.45W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV230ENEAR
仓库库存编号:
1727-2527-1-ND
别名:1727-2527-1
568-12966-1
568-12966-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 490mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PMGD780SN,115
仓库库存编号:
1727-3127-1-ND
别名:1727-3127-1
568-2369-1
568-2369-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 36W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M53-60EX
仓库库存编号:
1727-2583-1-ND
别名:1727-2583-1
568-13027-1
568-13027-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Ta) 513mW(Ta), 6.4W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV120ENEAR
仓库库存编号:
1727-2525-1-ND
别名:1727-2525-1
568-12964-1
568-12964-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 350mA 330mW Surface Mount SOT-666
型号:
2N7002PV,115
仓库库存编号:
1727-4792-1-ND
别名:1727-4792-1
568-5986-1
568-5986-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 36W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M42-60EX
仓库库存编号:
1727-2562-1-ND
别名:1727-2562-1
568-13006-1
568-13006-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL606SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL606SNH6327XTSA1CT-ND
别名:BSL606SNH6327XTSA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMPB55ENEA/SOT1220/REEL 7" Q1/
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.65W(Ta) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB55ENEAX
仓库库存编号:
1727-2730-1-ND
别名:1727-2730-1
568-13294-1
568-13294-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 37W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y59-60EX
仓库库存编号:
1727-1114-1-ND
别名:1727-1114-1
568-10269-1
568-10269-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tj) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP318SH6327XTSA1CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 55W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M24-60EX
仓库库存编号:
1727-2577-1-ND
别名:1727-2577-1
568-13021-1
568-13021-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 62W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M19-60EX
仓库库存编号:
1727-2574-1-ND
别名:1727-2574-1
568-13018-1
568-13018-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD220N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD220N06L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD220N06L3GBTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 79W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M9R9-60EX
仓库库存编号:
1727-2566-1-ND
别名:1727-2566-1
568-13010-1
568-13010-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S4L23ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S4L23ATMA2CT-ND
别名:IPD30N06S4L23ATMA2CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD350N06LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD350N06LGBTMA1CT-ND
别名:IPD350N06LGBTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ110N06NS3 G
仓库库存编号:
BSZ110N06NS3GINCT-ND
别名:BSZ110N06NS3GINCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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