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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），36W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ100N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ100N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ100N06NSATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.44A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO613SPV G
  仓库库存编号：BSO613SPV GCT-ND
  别名：BSO613SPV GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD079N06L3 G
  仓库库存编号：IPD079N06L3 GCT-ND
  别名：IPD079N06L3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN015-60BS,118
  仓库库存编号：1727-7207-1-ND
  别名：1727-7207-1
  568-9698-1
  568-9698-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD18P06P G
  仓库库存编号：SPD18P06P GCT-ND
  别名：SPD18P06P GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC066N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC066N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC066N06NSATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO263-2
  
  型号：SPB18P06P G
  仓库库存编号：SPB18P06PGINCT-ND
  别名：SPB18P06PGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 85A 6-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 83W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7545TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7545TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7545TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 40A 64W Surface Mount LFPAK56D
  
  型号：BUK7K13-60EX
  仓库库存编号：1727-2462-1-ND
  别名：1727-2462-1
  568-12847-1
  568-12847-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 40A 64W Surface Mount LFPAK56D
  
  型号：BUK9K13-60EX
  仓库库存编号：1727-2467-1-ND
  别名：1727-2467-1
  568-12852-1
  568-12852-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD053N06NATMA1
  仓库库存编号：IPD053N06NATMA1CT-ND
  别名：IPD053N06N-ND
  IPD053N06NATMA1CT
  IPD053N06NCT
  IPD053N06NCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB081N06L3 G
  仓库库存编号：IPB081N06L3 GCT-ND
  别名：IPB081N06L3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB054N06N3 G
  仓库库存编号：IPB054N06N3 GCT-ND
  别名：IPB054N06N3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 58A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRF60R217
  仓库库存编号：IRF60R217CT-ND
  别名：IRF60R217CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB057N06NATMA1
  仓库库存编号：IPB057N06NATMA1CT-ND
  别名：IPB057N06N-ND
  IPB057N06NATMA1CT
  IPB057N06NCT
  IPB057N06NCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-10
  
  型号：IPG20N06S415AATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S415AATMA1CT-ND
  别名：IPG20N06S415AATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7855TRPBF
  仓库库存编号：IRF7855TRPBFCT-ND
  别名：IRF7855TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 182W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK966R5-60E,118
  仓库库存编号：1727-7263-1-ND
  别名：1727-7263-1
  568-9892-1
  568-9892-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC034N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC034N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC034N06NSATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD038N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD038N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD038N06N3GATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 114A（Tc） 115W（Tc） DirectFET? Isometric ME
  
  型号：IRF7580MTRPBF
  仓库库存编号：IRF7580MTRPBFCT-ND
  别名：IRF7580MTRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 293W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK963R3-60E,118
  仓库库存编号：1727-1099-1-ND
  别名：1727-1099-1
  568-10254-1
  568-10254-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3W（Ta），167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD025N06NATMA1
  仓库库存编号：IPD025N06NATMA1CT-ND
  别名：IPD025N06N-ND
  IPD025N06NATMA1CT
  IPD025N06NCT
  IPD025N06NCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC016N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC016N06NS
  BSC016N06NS-ND
  BSC016N06NSATMA1CT
  BSC016N06NSCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB026N06NATMA1
  仓库库存编号：IPB026N06NATMA1CT-ND
  别名：IPB026N06N-ND
  IPB026N06NATMA1CT
  IPB026N06NCT
  IPB026N06NCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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