规格:漏源电压(Vdss) 60V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2940)
分立半导体产品
(2940)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (102)
Microchip Technology (32)
Central Semiconductor Corp (9)
Comchip Technology (2)
Diodes Incorporated (327)
EPC (10)
Infineon Technologies (486)
IXYS (13)
IXYS Integrated Circuits Division (2)
Micro Commercial Co (8)
Nexperia USA Inc. (145)
NXP USA Inc. (34)
Fairchild/ON Semiconductor (396)
ON Semiconductor (442)
Panasonic Electronic Components (8)
Renesas Electronics America (40)
Rohm Semiconductor (48)
Sanken (36)
STMicroelectronics (142)
Taiwan Semiconductor Corporation (85)
Texas Instruments (29)
Toshiba Semiconductor and Storage (78)
Trinamic Motion Control GmbH (1)
TT Electronics/Optek Technology (3)
Vishay Siliconix (462)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Ta) 2W(Ta),25W(Tc) TO-220F-3SG
型号:
2SK3703-1E
仓库库存编号:
2SK3703-1EOS-ND
别名:2SK3703-1E-ND
2SK3703-1EOS
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Ta) 200W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18542KCS
仓库库存编号:
296-42271-5-ND
别名:296-42271-5
CSD18542KCS-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 640mA(Tj) 740mW(Tc) TO-92-3
型号:
VP2206N3-G
仓库库存编号:
VP2206N3-G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 46A F7 TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF100N6F7
仓库库存编号:
497-15884-5-ND
别名:497-15884-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
详细描述:通孔 P 沟道 28A(Ta) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220F-3SG
型号:
2SJ652-1E
仓库库存编号:
2SJ652-1EOS-ND
别名:2SJ652-1E-ND
2SJ652-1EOS
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44RPBF
仓库库存编号:
IRFZ44RPBF-ND
别名:*IRFZ44RPBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ44PBF
仓库库存编号:
IRLZ44PBF-ND
别名:*IRLZ44PBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ34GPBF
仓库库存编号:
IRFIZ34GPBF-ND
别名:*IRFIZ34GPBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 245W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP050AN06A0
仓库库存编号:
FDP050AN06A0-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 74A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 74A(Ta) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
型号:
BBL4001-1E
仓库库存编号:
BBL4001-1EOS-ND
别名:BBL4001-1E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta),279A(Tc) 300W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD18535KTTT
仓库库存编号:
296-44121-1-ND
别名:296-44121-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 140A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta),140A(Tc) 1.9W(Ta),330W(Tc) TO-220
型号:
AOT260L
仓库库存编号:
785-1273-5-ND
别名:785-1273-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.9A 1.81W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMP6A16DN8QTA
仓库库存编号:
ZXMP6A16DN8QTADICT-ND
别名:ZXMP6A16DN8QTADICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 25W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK30A06N1,S4X
仓库库存编号:
TK30A06N1S4X-ND
别名:TK30A06N1,S4X(S
TK30A06N1,S4X-ND
TK30A06N1S4X
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 16A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta),22A(Tc) 2.1W(Ta),23.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2618L
仓库库存编号:
785-1442-5-ND
别名:785-1442-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Ta) 53W(Tc) TO-220
型号:
TK30E06N1,S1X
仓库库存编号:
TK30E06N1S1X-ND
别名:TK30E06N1,S1X(S
TK30E06N1S1X
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO-220-3
型号:
SPP18P06P H
仓库库存编号:
SPP18P06P H-ND
别名:SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P G-ND
SPP18P06PH
SPP18P06PHXKSA1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) 115W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44VPBF
仓库库存编号:
IRFZ44VPBF-ND
别名:*IRFZ44VPBF
SP001571862
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 72A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ48VPBF
仓库库存编号:
IRFZ48VPBF-ND
别名:*IRFZ48VPBF
SP001550284
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Ta),100A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18534KCS
仓库库存编号:
296-35012-ND
别名:296-35012
CSD18534KCS-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
库存产品核实请求
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 58A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Ta) 110W(Tc) TO-220
型号:
TK58E06N1,S1X
仓库库存编号:
TK58E06N1S1X-ND
别名:TK58E06N1,S1X(S
TK58E06N1S1X
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1010EZPBF
仓库库存编号:
IRF1010EZPBF-ND
别名:*IRF1010EZPBF
SP001571244
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 60V 12A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-251
型号:
IXTU12N06T
仓库库存编号:
IXTU12N06T-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF55N06
仓库库存编号:
FDPF55N06-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 92W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44VZPBF
仓库库存编号:
IRFZ44VZPBF-ND
别名:*IRFZ44VZPBF
SP001565374
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号