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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 8.5A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9Z24GPBF
  仓库库存编号：IRFI9Z24GPBF-ND
  别名：*IRFI9Z24GPBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 103A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 75W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IRFI7536GPBF
  仓库库存编号：IRFI7536GPBF-ND
  别名：SP001566188
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 96W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E13-60E,127
  仓库库存编号：1727-7240-ND
  别名：1727-7240
  568-9847-5
  568-9847-5-ND
  934066633127
  BUK7E1360E127
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP36NF06
  仓库库存编号：497-3186-5-ND
  别名：497-3186-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM100N06CZ C0G
  仓库库存编号：TSM100N06CZ C0G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 40W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD10PF06-1
  仓库库存编号：497-12781-5-ND
  别名：497-12781-5
  STD10PF06-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 136W（Tc） TO-220
  
  型号：STP90N6F6
  仓库库存编号：497-15019-5-ND
  别名：497-15019-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 120W（Tc） TO-220
  
  型号：STP80N6F6
  仓库库存编号：497-13976-5-ND
  别名：497-13976-5
  STP80N6F6-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 36W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8R2A06PL,S4X
  仓库库存编号：TK8R2A06PLS4X-ND
  别名：TK8R2A06PL,S4X(S
  TK8R2A06PLS4X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
  
  型号：SQM50028EM_GE3
  仓库库存编号：SQM50028EM_GE3CT-ND
  别名：SQM50028EM_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：IPA057N06N3 G
  仓库库存编号：IPA057N06N3 G-ND
  别名：IPA057N06N3G
  IPA057N06N3GXKSA1
  SP000457582
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.3W（Ta）, 113W（Tc） TO-220-3
  
  型号：DMT6004SCT
  仓库库存编号：DMT6004SCTDI-5-ND
  别名：DMT6004SCTDI-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 87W（Tc） TO-220
  
  型号：TK4R3E06PL,S1X
  仓库库存编号：TK4R3E06PLS1X-ND
  别名：TK4R3E06PL,S1X(S
  TK4R3E06PLS1X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 68A（Tc） 36W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK4R3A06PL,S4X
  仓库库存编号：TK4R3A06PLS4X-ND
  别名：TK4R3A06PL,S4X(S
  TK4R3A06PLS4X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R2-60PLQ
  仓库库存编号：1727-1059-ND
  别名：1727-1059
  568-10167-5
  568-10167-5-ND
  934067502127
  PSMN4R260PLQ
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI029N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPI029N06NAKSA1-ND
  别名：IPI029N06N
  IPI029N06N-ND
  SP000962134
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL3306PBF
  仓库库存编号：IRFSL3306PBF-ND
  别名：SP001568072
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLIZ34GPBF
  仓库库存编号：IRLIZ34GPBF-ND
  别名：*IRLIZ34GPBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 150A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 326W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN2R6-60PSQ
  仓库库存编号：1727-1057-ND
  别名：1727-1057
  568-10165-5
  568-10165-5-ND
  934067504127
  PSMN2R660PSQ
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44SPBF
  仓库库存编号：IRFZ44SPBF-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN2R5-60PLQ
  仓库库存编号：1727-1056-ND
  别名：1727-1056
  568-10164-5
  568-10164-5-ND
  934067499127
  PSMN2R560PLQ
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• IXYS
  60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 220A（Tc） 440W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP220N06T3
  仓库库存编号：IXFP220N06T3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• IXYS
  60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220A（Tc） 440W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFA220N06T3
  仓库库存编号：IXFA220N06T3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta），349A（Tc） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD18536KTTT
  仓库库存编号：296-44122-1-ND
  别名：296-44122-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• IXYS
  60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 270A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP270N06T3
  仓库库存编号：IXFP270N06T3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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