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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP037N06L3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP037N06L3GXKSA1-ND
  别名：IPP037N06L3 G
  IPP037N06L3 G-ND
  IPP037N06L3G
  SP000680774
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP212-TL-H
  仓库库存编号：869-1084-1-ND
  别名：869-1084-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.6A, 2.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMC4559DN8TA
  仓库库存编号：ZXMC4559DN8CT-ND
  别名：ZXMC4559DN8CT
  ZXMC4559DN8TA-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI50N06TU
  仓库库存编号：FQI50N06TU-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 3W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4306GVTA
  仓库库存编号：ZVN4306GVCT-ND
  别名：ZVN4306GV
  ZVN4306GVCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 173A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFS7537TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7537TRLPBFCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Ta） 70W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP302-TL-H
  仓库库存编号：ATP302-TL-HOSCT-ND
  别名：ATP302-TL-HOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76419S3ST_F085
  仓库库存编号：HUF76419S3ST_F085CT-ND
  别名：HUF76419S3ST_F085CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 26W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF320N06L
  仓库库存编号：FDPF320N06L-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB55NF06T4
  仓库库存编号：497-6553-1-ND
  别名：497-6553-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 27.5A（Ta） 120W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB25P06T4G
  仓库库存编号：NTB25P06T4GOSCT-ND
  别名：NTB25P06T4GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI040N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI040N06N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680656
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），156W（Tc） 8-VSONP（5x6）
  
  型号：CSD18531Q5AT
  仓库库存编号：296-41958-1-ND
  别名：296-41958-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），22A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC86520L
  仓库库存编号：FDMC86520LCT-ND
  别名：FDMC86520LCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP032N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP032N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP032N06N3 G
  IPP032N06N3 G-ND
  IPP032N06N3G
  SP000680770
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB60NF06LT4
  仓库库存编号：497-6554-1-ND
  别名：497-6554-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.3A 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMN6A09DN8TA
  仓库库存编号：ZXMN6A09DN8CT-ND
  别名：ZXMN6A09DN8CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86500L
  仓库库存编号：FDMS86500LFSCT-ND
  别名：FDMS86500LFSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 205W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP030N06B_F102
  仓库库存编号：FDP030N06B_F102-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Ta），62A（Tc） 115W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB13AN06A0
  仓库库存编号：FDB13AN06A0CT-ND
  别名：FDB13AN06A0CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 56A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），56A（Tc） 2.3W（Ta），54W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86570L
  仓库库存编号：FDMC86570LCT-ND
  别名：FDMC86570LCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB100N6F7
  仓库库存编号：497-15894-1-ND
  别名：497-15894-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Ta） 157W（Tc） TO-252-3
  
  型号：TK90S06N1L,LQ
  仓库库存编号：TK90S06N1LLQCT-ND
  别名：TK90S06N1LLQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7478DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7478DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7478DP-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），80A（Tc） 175W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB070AN06A0
  仓库库存编号：FDB070AN06A0CT-ND
  别名：FDB070AN06A0CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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