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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ34PBF
  仓库库存编号：IRLZ34PBF-ND
  别名：*IRLZ34PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 260A 8PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260A（Tc） 4.8W（Ta）, 187W（Tc） PowerFLAT（6x5）
  
  型号：STL220N6F7
  仓库库存编号：497-15914-1-ND
  别名：497-15914-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP55NF06FP
  仓库库存编号：497-3193-5-ND
  别名：497-3193-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 52.4A（Tc） 121W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP50N06L
  仓库库存编号：FQP50N06L-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），200A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7749L1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7749L1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7749L1TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP029N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPP029N06NAKSA1-ND
  别名：IPP029N06N
  IPP029N06N-ND
  SP000917404
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta），180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB010N06NATMA1
  仓库库存编号：IPB010N06NATMA1CT-ND
  别名：IPB010N06N-ND
  IPB010N06NATMA1CT
  IPB010N06NCT
  IPB010N06NCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
  
  型号：DMN61D8LVTQ-7
  仓库库存编号：DMN61D8LVTQ-7DICT-ND
  别名：DMN61D8LVTQ-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），30A（Tc） 2.2W（Ta），41W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT6010LFG-7
  仓库库存编号：DMT6010LFG-7DICT-ND
  别名：DMT6010LFG-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），41W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT6008LFG-7
  仓库库存编号：DMT6008LFG-7DICT-ND
  别名：DMT6008LFG-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMP6A17GQTA
  仓库库存编号：ZXMP6A17GQTADICT-ND
  别名：ZXMP6A17GQTADICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 71A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 99W（Tc） DPAK
  
  型号：IRFR7546TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7546TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7546TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7540TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7540TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7540TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP613PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP613PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP613PH6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7085TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7085TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7085TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB037N06N3 G
  仓库库存编号：IPB037N06N3 GCT-ND
  别名：IPB037N06N3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB029N06N3 G
  仓库库存编号：IPB029N06N3 GCT-ND
  别名：IPB029N06N3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Ta） 67W（Tc） TO-220
  
  型号：TK40E06N1,S1X
  仓库库存编号：TK40E06N1S1X-ND
  别名：TK40E06N1,S1X(S
  TK40E06N1S1X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK40A06N1,S4X
  仓库库存编号：TK40A06N1S4X-ND
  别名：TK40A06N1,S4X(S
  TK40A06N1,S4X-ND
  TK40A06N1S4X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 58A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK58A06N1,S4X
  仓库库存编号：TK58A06N1S4X-ND
  别名：TK58A06N1,S4X(S
  TK58A06N1,S4X-ND
  TK58A06N1S4X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF20N06
  仓库库存编号：FQPF20N06-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRFS7530TRL7PP
  仓库库存编号：IRFS7530TRL7PPCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Ta），120A（Tc） 3W（Ta），214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP020N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPP020N06NAKSA1-ND
  别名：IPP020N06N
  IPP020N06N-ND
  SP000917406
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 2.4W（Ta） PowerFlat?（2x2）
  
  型号：STL7N6F7
  仓库库存编号：497-16934-1-ND
  别名：497-16934-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 57A (Tc) 62.5W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL50DN6F7
  仓库库存编号：497-16488-1-ND
  别名：497-16488-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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