规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 240A MO299A
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 300W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL86566_F085
仓库库存编号:
FDBL86566_F085CT-ND
别名:FDBL86566_F085CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF06
仓库库存编号:
497-3201-5-ND
别名:497-3201-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 98A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 98A(Tc) 2.3W(Ta), 104W(Tc) TO-220-3
型号:
DMT6010SCT
仓库库存编号:
DMT6010SCTDI-5-ND
别名:DMT6010SCTDI-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.6A(Ta) 1.9W(Ta)
型号:
SI7370DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7370DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7370DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 18A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP36NF06FP
仓库库存编号:
497-16203-5-ND
别名:497-16203-5
STP36NF06FP-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 211W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN4R6-60PS,127
仓库库存编号:
1727-4663-ND
别名:1727-4663
568-5780
568-5780-5
568-5780-5-ND
568-5780-ND
934064296127
PSMN4R6-60PS,127-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 35W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU10P6F6
仓库库存编号:
497-13884-5-ND
别名:497-13884-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 4.7W(Ta), 136W(Tc) TO-263AB
型号:
DMTH6004SCTBQ-13
仓库库存编号:
DMTH6004SCTBQ-13DICT-ND
别名:DMTH6004SCTBQ-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUM50020E-GE3
仓库库存编号:
SUM50020E-GE3CT-ND
别名:SUM50020E-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP50020E-GE3
仓库库存编号:
SUP50020E-GE3CT-ND
别名:SUP50020E-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Diodes Incorporated
MOSFET 60V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 2.8W(Ta), 136W(Tc) TO-220-3
型号:
DMTH6004SCT
仓库库存编号:
DMTH6004SCTDI-5-ND
别名:DMTH6004SCTDI-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 333W(Tc) H2PAK-6
型号:
STH272N6F7-6AG
仓库库存编号:
STH272N6F7-6AG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 287A (Tc) 200W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C604NLWFAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C604NLWFAFT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5C604NLWFAFT1GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP260N6F6
仓库库存编号:
497-11230-5-ND
别名:497-11230-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Ta),120A(Tc) 3W(Ta),214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI020N06NAKSA1
仓库库存编号:
IPI020N06NAKSA1-ND
别名:IPI020N06N
IPI020N06N-ND
SP000962132
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 22VSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 12W Surface Mount 22-VSON-CLIP (5x6)
型号:
CSD88599Q5DCT
仓库库存编号:
296-46924-1-ND
别名:296-46924-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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EPC
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A (Tj) Surface Mount Die
型号:
EPC2102ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2102ENGRCT-ND
别名:917-EPC2102ENGRCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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EPC
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
型号:
EPC2101ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2101ENGRCT-ND
别名:917-EPC2101ENGRCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 310mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN65D8LQ-13
仓库库存编号:
DMN65D8LQ-13-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 210mA(Ta) 340mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN67D8L-13
仓库库存编号:
DMN67D8L-13-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 240mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN67D8LW-13
仓库库存编号:
DMN67D8LW-13-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN63D1L-13
仓库库存编号:
DMN63D1L-13-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 210mA(Ta) 340mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN67D8L-7
仓库库存编号:
DMN67D8L-7-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 310mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN65D8LQ-7
仓库库存编号:
DMN65D8LQ-7-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 310mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN63D1LW-13
仓库库存编号:
DMN63D1LW-13-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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