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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 2.4W PowerDI3333-8
  
  型号：DMN6069SFGQ-7
  仓库库存编号：DMN6069SFGQ-7-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） MPT3
  
  型号：2SK2463T100
  仓库库存编号：2SK2463T100-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），17A（Tc） 3.4W（Ta），49W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5490NLT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5490NLT4G-VF01-ND
  别名：NVD5490NLT4G
  NVD5490NLT4G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.7A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP6023LFGQ-13
  仓库库存编号：DMP6023LFGQ-13-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.7A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP6023LFGQ-7
  仓库库存编号：DMP6023LFGQ-7-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN4206ASTZ
  仓库库存编号：ZVN4206ASTZ-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8
  
  型号：VEC2415-TL-W
  仓库库存编号：VEC2415-TL-WOSCT-ND
  别名：VEC2415-TL-WOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 3W（Ta），18W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5124PLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5124PLWFTAG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C682NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C682NLT3G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），25A（Tc） 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C682NLAFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C682NLAFT3G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN3306ASTZ
  仓库库存编号：ZVN3306ASTZ-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 19A TO251B
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta） 59.5W（Tc） TO-251B
  
  型号：AOY2610E
  仓库库存编号：AOY2610E-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 60V SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1W（Ta） SOT-89
  
  型号：CPC3701CTR
  仓库库存编号：CPC3701CTR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2.4A 1.4W Surface Mount PowerDI3333-8
  
  型号：DMC6070LND-13
  仓库库存编号：DMC6070LND-13-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2.4A 1.4W Surface Mount PowerDI3333-8
  
  型号：DMC6070LND-7
  仓库库存编号：DMC6070LND-7-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.1W（Ta） TO-252-4L
  
  型号：DMNH6021SK3-13
  仓库库存编号：DMNH6021SK3-13-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 60V 47A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 47W（Tc） TO-252
  
  型号：DKI06108
  仓库库存编号：DKI06108CT-ND
  别名：DKI06108CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MV7 60/20V 1000A N-CHANNEL POWER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 48.4W（Tj） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD86581_F085
  仓库库存编号：FDD86581_F085-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 94W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y15-60EX
  仓库库存编号：1727-1107-1-ND
  别名：1727-1107-1
  568-10262-1
  568-10262-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK
  
  型号：NVD3055-094T4G-VF01
  仓库库存编号：NVD3055-094T4G-VF01-ND
  别名：NVD3055-094T4G
  NVD3055-094T4G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 60V 5.1A (Ta) 1.24W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMC6040SSDQ-13
  仓库库存编号：DMC6040SSDQ-13-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK-3
  
  型号：STDV3055L104T4G
  仓库库存编号：STDV3055L104T4G-ND
  别名：NTDV3055L104T4G
  NTDV3055L104T4G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN14006NH,L1Q
  仓库库存编号：TPN14006NHL1QCT-ND
  别名：TPN14006NHL1QCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKI06190
  仓库库存编号：FKI06190-ND
  别名：FKI06190 DK
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MV7 N CHANNEL POWER TRENCH MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tj） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：FDMS86581_F085
  仓库库存编号：FDMS86581_F085-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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