规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），93A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C646NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C646NLWFAFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLT3G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLAFT3G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V 85A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
型号：
SKI06048
仓库库存编号：
SKI06048CT-ND
别名：SKI06048CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 2.3W PowerDI5060-8
型号：
DMT6002LPS-13
仓库库存编号：
DMT6002LPS-13-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Ta） 2.6W（Ta）, 138W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH6004LPSQ-13
仓库库存编号：
DMTH6004LPSQ-13-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5489NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFD5489NLWFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 50A（Ta） 90W（Tc） DPAK+
型号：
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TJ50S06M3L(T6L1NQ-ND
别名：TJ50S06M3L(T6L1NQ
TJ50S06M3LT6L1NQ
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 60A（Ta） 72W（Tc） ATPAK
型号：
NVATS5A114PLZT4G
仓库库存编号：
NVATS5A114PLZT4G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5485NLT1G
仓库库存编号：
NVMFD5485NLT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.5A（Ta） 88W（Tc） D2PAK
型号：
NTBV5605T4G
仓库库存编号：
NTBV5605T4G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 29A（Ta），155A（Tc） 4W（Ta），115W（Tc） DPAK
型号：
NVD5C632NLT4G
仓库库存编号：
NVD5C632NLT4G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5485NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFD5485NLWFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） I2PAK
型号：
IRF9Z14LPBF
仓库库存编号：
IRF9Z14LPBF-ND
别名：*IRF9Z14LPBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLAFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 26A（Tc） 68W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
NDB5060L
仓库库存编号：
NDB5060LCT-ND
别名：NDB5060LCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-262
型号：
N0603N-S23-AY
仓库库存编号：
N0603N-S23-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
型号：
TK80S06K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TK80S06K3L(T6L1NQ-ND
别名：TK80S06K3L(T6L1NQ
TK80S06K3LT6L1NQ
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9024TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR9024TRLPBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9024TRRPBF
仓库库存编号：
IRFR9024TRRPBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
型号：
BUK964R2-60E,118
仓库库存编号：
1727-1100-1-ND
别名：1727-1100-1
568-10255-1
568-10255-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 330mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0606L-G-P003
仓库库存编号：
VN0606L-G-P003-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR688DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR688DP-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 60A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
型号：
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TJ60S06M3L(T6L1NQ-ND
别名：TJ60S06M3L(T6L1NQ
TJ60S06M3LT6L1NQ
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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