规格:漏源电压(Vdss) 250V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7453TRPBF
仓库库存编号:
IRF7453PBFCT-ND
别名:*IRF7453TRPBF
IRF7453PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 430mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP317PE6327T
仓库库存编号:
BSP317PE6327XTINCT-ND
别名:BSP317PE6327XTINCT
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 190mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS192PE6327T
仓库库存编号:
BSS192PE6327XTINCT-ND
别名:BSS192PE6327XTINCT
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 250V 310mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSN254,126
仓库库存编号:
BSN254,126-ND
别名:934004930126
BSN254 AMO
BSN254 AMO-ND
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 250V 310mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSN254A,126
仓库库存编号:
BSN254A,126-ND
别名:934003960126
BSN254A AMO
BSN254A AMO-ND
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54
详细描述:通孔 P 沟道 250V 200mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSP254A,126
仓库库存编号:
BSP254A,126-ND
别名:933981790126
BSP254A AMO
BSP254A AMO-ND
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 260mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP92P E6327
仓库库存编号:
BSP92P E6327-ND
别名:BSP92PE6327T
SP000014253
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139 E6327
仓库库存编号:
BSS139 E6327-ND
别名:BSS139E6327XT
SP000011170
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139 E6906
仓库库存编号:
BSS139 E6906-ND
别名:BSS139E6906XT
SP000055415
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 430mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP317PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP317PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSP317PL6327
BSP317PL6327INCT
BSP317PL6327INCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 260mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP92PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP92PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSP92PL6327
BSP92PL6327INCT
BSP92PL6327INCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 190mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS192PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS192PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSS192PL6327
BSS192PL6327INCT
BSS192PL6327INCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR12N25DCPBF
仓库库存编号:
IRFR12N25DCPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR12N25DTRRP
仓库库存编号:
IRFR12N25DTRRP-ND
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR12N25DCTRRP
仓库库存编号:
IRFR12N25DCTRRP-ND
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR12N25DTRLP
仓库库存编号:
IRFR12N25DTRLP-ND
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR12N25DCTRLP
仓库库存编号:
IRFR12N25DCTRLP-ND
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR12N25DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR12N25DTRPBF-ND
别名:SP001556902
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 140mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR92PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSR92PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSR92P L6327
BSR92P L6327-ND
SP000265408
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS139L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS139 L6327
BSS139 L6327-ND
SP000247295
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139L6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS139L6906HTSA1TR-ND
别名:BSS139 L6906
BSS139 L6906-ND
SP000247296
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 375A(Tc) 4.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
IRF7799L2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7799L2TR1PBFCT-ND
别名:IRF7799L2TR1PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD600N25N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD600N25N3 GCT
IPD600N25N3 GCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 45A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 45A(Tc) 330W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4229PBF
仓库库存编号:
IRFSL4229PBF-ND
别名:SP001567750
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 3.8A(Ta) 3.6W(Ta),8.3W(Tc) 8-QFN
型号:
IRFH5025TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5025TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5025TR2PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 250V,
无铅
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