规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF8N60C
仓库库存编号:
FQPF8N60C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.6A(Tc) 84W(Tc) DPAK
型号:
NDD60N745U1T4G
仓库库存编号:
NDD60N745U1T4G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4A(Tc) 80W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N60CTM_WS
仓库库存编号:
FQD6N60CTM_WS-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 8.2A(Tc) 94W(Tc) DPAK
型号:
NDD60N550U1T4G
仓库库存编号:
NDD60N550U1T4G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 74W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N900U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N900U1-1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 74W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N900U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N900U1-35G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 147W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP8N60C
仓库库存编号:
FQP8N60C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF10N60C
仓库库存编号:
FQPF10N60C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.6A(Tc) 84W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N745U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N745U1-1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.6A(Tc) 84W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N745U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N745U1-35G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.2A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF380N60
仓库库存编号:
FCPF380N60FS-ND
别名:FCPF380N60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 114W(Tc) DPAK-3
型号:
NDD60N360U1T4G
仓库库存编号:
NDD60N360U1T4G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N60C
仓库库存编号:
FQP6N60C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 54W(Tc) I-Pak
型号:
FCU5N60TU
仓库库存编号:
FCU5N60TU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.2A(Tc) 94W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
NDD60N550U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N550U1-1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.2A(Tc) 94W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
NDD60N550U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N550U1-35G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 36W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF11N60
仓库库存编号:
FCPF11N60-ND
别名:FCPF11N60_NL
FCPF11N60_NL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 3.13W(Ta),147W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB8N60CTM
仓库库存编号:
FQB8N60CTMFSCT-ND
别名:FQB8N60CTMFSCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 225W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP12N60C
仓库库存编号:
FQP12N60C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 106W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP380N60
仓库库存编号:
FCP380N60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF7N60
仓库库存编号:
FCPF7N60-ND
别名:FCPF7N60_NL
FCPF7N60_NL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 114W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N360U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N360U1-1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 114W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N360U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N360U1-35G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF190N60_F152
仓库库存编号:
FCPF190N60_F152-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.8A(Tc) 94W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP11N60N
仓库库存编号:
FCP11N60N-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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