以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW40N60M2
  仓库库存编号：497-14203-5-ND
  别名：497-14203-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW30NM60N
  仓库库存编号：497-8457-5-ND
  别名：497-8457-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Transphorm
  GAN FET 600V 9A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3202LS
  仓库库存编号：TPH3202LS-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 35A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 102W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6035KNZC8
  仓库库存编号：R6035KNZC8-ND
  别名：R6035KNZC8TR
  R6035KNZC8TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 75A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 592W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH043N60
  仓库库存编号：FCH043N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG70N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG70N60EF-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 45A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 300W（Tc） TO-247
  
  型号：STW56NM60N
  仓库库存编号：497-13286-5-ND
  别名：497-13286-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 447W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY80NM60N
  仓库库存编号：497-8466-5-ND
  别名：497-8466-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 46A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6046ANZ1C9
  仓库库存编号：R6046ANZ1C9-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS38N60LPBF
  仓库库存编号：IRFPS38N60LPBF-ND
  别名：*IRFPS38N60LPBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 106A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT106N60B2C6
  仓库库存编号：APT106N60B2C6-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 57W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2N60A
  仓库库存编号：785-1663-1-ND
  别名：785-1663-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：R6002ENDTL
  仓库库存编号：R6002ENDTLCT-ND
  别名：R6002ENDTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 600V SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：CPC3960ZTR
  仓库库存编号：CLA4158-1-ND
  别名：CLA4158-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ2HNK60ZR-AP
  仓库库存编号：497-12344-3-ND
  别名：497-12344-3
  STQ2HNK60ZRAP
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ2HNK60ZR-AP
  仓库库存编号：497-12344-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD2LN60K3
  仓库库存编号：497-13390-1-ND
  别名：497-13390-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5N60DM2
  仓库库存编号：497-16928-1-ND
  别名：497-16928-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.9A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N60CTM_WS
  仓库库存编号：FQD2N60CTM_WSCT-ND
  别名：FQD2N60CTM_WSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 52W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FCD900N60Z
  仓库库存编号：FCD900N60ZCT-ND
  别名：FCD900N60ZCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 52W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：FCU900N60Z
  仓库库存编号：FCU900N60Z-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Tc） 27W（Tc） DPAK
  
  型号：STD1HN60K3
  仓库库存编号：497-13748-1-ND
  别名：497-13748-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF4N60NZ
  仓库库存编号：FDPF4N60NZ-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.8A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N60CTM_WS
  仓库库存编号：FQD5N60CTM_WSCT-ND
  别名：FQD5N60CTM_WSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：VN2460N8-G
  仓库库存编号：VN2460N8-GCT-ND
  别名：VN2460N8-GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索