规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF7N60NZ
仓库库存编号:
FDPF7N60NZ-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 4A 600V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 38W(Tc) DPAK
型号:
CDM4-600LR TR13
仓库库存编号:
CDM4-600LR TR13CT-ND
别名:CDM4-600LR TR13CT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V SGL IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
FDU7N60NZTU
仓库库存编号:
FDU7N60NZTU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Tc) 36W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1N60ATRPBF
仓库库存编号:
IRFR1N60APBFCT-ND
别名:*IRFR1N60ATRPBF
IRFR1N60APBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Tc) 54W(Tc) D-Pak
型号:
FCD5N60TM_WS
仓库库存编号:
FCD5N60TM_WSCT-ND
别名:FCD5N60TM_WSCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 86.2W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M004A060PG
仓库库存编号:
1560-1194-5-ND
别名:1560-1194-1
1560-1194-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD7N60M2
仓库库存编号:
497-13941-1-ND
别名:497-13941-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD11N60M2-EP
仓库库存编号:
497-16936-1-ND
别名:497-16936-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 60W(Tc) D2PAK
型号:
STB6N60M2
仓库库存编号:
497-13934-1-ND
别名:497-13934-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N60CTM_WS
仓库库存编号:
FQD3N60CTM_WSCT-ND
别名:FQD3N60CTM_WSCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Tc) 54W(Tj) D-Pak
型号:
FCD5N60_F085
仓库库存编号:
FCD5N60_F085CT-ND
别名:FCD5N60_F085CT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 147W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP7N60NZ
仓库库存编号:
FDP7N60NZ-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 7A 600V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
CDM7-600LR TR13
仓库库存编号:
CDM7-600LR TR13CT-ND
别名:CDM7-600LR TR13CT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD13N60DM2
仓库库存编号:
497-16926-1-ND
别名:497-16926-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FCD620N60ZF
仓库库存编号:
FCD620N60ZFCT-ND
别名:FCD620N60ZFCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3
型号:
FCPF380N60E
仓库库存编号:
FCPF380N60E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 106W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP380N60E
仓库库存编号:
FCP380N60E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK5P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK5P60WRVQCT-ND
别名:TK5P60WRVQCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.350 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 52W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL13N60DM2
仓库库存编号:
497-16931-1-ND
别名:497-16931-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.2A(Tc) 106W(Tc) D-Pak
型号:
FCD380N60E
仓库库存编号:
FCD380N60ECT-ND
别名:FCD380N60ECT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 34.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF8N60ZUT
仓库库存编号:
FDPF8N60ZUT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 3.13W(Ta),142W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7N60TM
仓库库存编号:
FQB7N60TMCT-ND
别名:FQB7N60TMCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
FCD7N60TM_WS
仓库库存编号:
FCD7N60TM_WSCT-ND
别名:FCD7N60TM_WSCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Tc) 48W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL9N60M2
仓库库存编号:
497-14970-1-ND
别名:497-14970-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 55W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL15N60M2-EP
仓库库存编号:
497-15912-1-ND
别名:497-15912-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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