以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 76A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 595W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH041N60F
  仓库库存编号：FCH041N60F-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 16A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH16P60P
  仓库库存编号：IXTH16P60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP42N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15893-5-ND
  别名：497-15893-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 50A
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-247
  
  型号：STW56N60DM2
  仓库库存编号：497-16341-5-ND
  别名：497-16341-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 66A
  详细描述：通孔 N 沟道 66A（Tc） 446W（Tc） TO-247
  
  型号：STW72N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16130-5-ND
  别名：497-16130-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Transphorm
  GAN FET 600V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3206PS
  仓库库存编号：TPH3206PS-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 16A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT16P60P
  仓库库存编号：IXTT16P60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 66A
  详细描述：通孔 N 沟道 66A（Tc） 446W（Tc） TO-247
  
  型号：STW70N60DM2
  仓库库存编号：497-16345-5-ND
  别名：497-16345-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 255W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW43NM60ND
  仓库库存编号：497-8461-5-ND
  别名：497-8461-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N60L2
  仓库库存编号：IXTH30N60L2-ND
  别名：622201
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N60L2
  仓库库存编号：IXTT30N60L2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX64N60P
  仓库库存编号：IXFX64N60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 51A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW55NM60ND
  仓库库存编号：497-7036-5-ND
  别名：497-7036-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 1500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN110N60P3
  仓库库存编号：IXFN110N60P3-ND
  别名：625715
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 72A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN82N60P
  仓库库存编号：IXFN82N60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 75A（Tc） 560W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXKN75N60C
  仓库库存编号：IXKN75N60C-ND
  别名：498718
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50mA（Ta） 610mW（Ta） SC-59
  
  型号：BSS127SSN-7
  仓库库存编号：BSS127SSN-7DICT-ND
  别名：BSS127SSN-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34mA（Ta） 1.39W（Ta） SOT-23
  
  型号：AO3162
  仓库库存编号：785-1458-1-ND
  别名：785-1458-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tc） 1W（Ta），3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：FQN1N60CTA
  仓库库存编号：FQN1N60CTACT-ND
  别名：FQN1N60CTACT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ1NK60ZR-AP
  仓库库存编号：497-12343-3-ND
  别名：497-12343-3
  STQ1NK60ZRAP
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 56.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2N60
  仓库库存编号：785-1180-1-ND
  别名：785-1180-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Tc） 2W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS1NK60Z
  仓库库存编号：497-12798-1-ND
  别名：497-12798-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N60CTM
  仓库库存编号：FQD2N60CTMCT-ND
  别名：FQD2N60CTMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 56.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4S60
  仓库库存编号：785-1265-1-ND
  别名：785-1265-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD600N60Z
  仓库库存编号：FCD600N60ZCT-ND
  别名：FCD600N60ZCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索