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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 147W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N60E-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB14NK60ZT4
  仓库库存编号：497-7933-1-ND
  别名：497-7933-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP170N60
  仓库库存编号：FCP170N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF22N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF22N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHF22N60E-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA22N60N
  仓库库存编号：FCA22N60N-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 144W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK12J60U(F)
  仓库库存编号：TK12J60UF-ND
  别名：TK12J60U(F)-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB13NM60N
  仓库库存编号：497-10984-1-ND
  别名：497-10984-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC40STRLPBFCT-ND
  别名：IRFBC40STRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA19N60
  仓库库存编号：FQA19N60FS-ND
  别名：FQA19N60-ND
  FQA19N60FS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：TK16G60W,RVQ
  仓库库存编号：TK16G60WRVQCT-ND
  别名：TK16G60WRVQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 23A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP165N60E
  仓库库存编号：FCP165N60E-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 28A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB35N60DM2
  仓库库存编号：497-16357-1-ND
  别名：497-16357-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 28A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP130N60
  仓库库存编号：FCP130N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 134.4W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP16N60N
  仓库库存编号：FCP16N60N-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK20A60W,S5VX
  仓库库存编号：TK20A60WS5VX-ND
  别名：ASTK20A60W,S5VX(M
  TK20A60W,S5VX(M
  TK20A60WS5VX
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH170N60
  仓库库存编号：FCH170N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 190W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL33N60M2
  仓库库存编号：497-14969-1-ND
  别名：497-14969-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL24N60DM2
  仓库库存编号：497-16940-1-ND
  别名：497-16940-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 62.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF17N60NT
  仓库库存编号：FDPF17N60NTFS-ND
  别名：FDPF17N60NT-ND
  FDPF17N60NTFS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） DPAK
  
  型号：STB45N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16129-1-ND
  别名：497-16129-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 405W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB20N60F_F085
  仓库库存编号：FCB20N60F_F085CT-ND
  别名：FCB20N60F_F085CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 57W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL18N60M2
  仓库库存编号：497-15146-1-ND
  别名：497-15146-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX100N60FU6
  仓库库存编号：RDX100N60FU6-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB33N60M2
  仓库库存编号：497-14973-1-ND
  别名：497-14973-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB18NM60ND
  仓库库存编号：497-13829-1-ND
  别名：497-13829-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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