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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB26NM60ND
  仓库库存编号：497-14264-1-ND
  别名：497-14264-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 52A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH072N60F_F085
  仓库库存编号：FCH072N60F_F085-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 216W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH25N60N
  仓库库存编号：FCH25N60N-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB34NM60N
  仓库库存编号：497-12236-1-ND
  别名：497-12236-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 52A
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH070N60E
  仓库库存编号：FCH070N60E-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH47N60_F133
  仓库库存编号：FCH47N60_F133-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.5A（Tc） 3W（Ta），150W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL23NM60ND
  仓库库存编号：497-11205-1-ND
  别名：497-11205-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 312.5W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA35N60
  仓库库存编号：FCA35N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB34NM60ND
  仓库库存编号：497-12237-1-ND
  别名：497-12237-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 52A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH072N60
  仓库库存编号：FCH072N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF36N60NT
  仓库库存编号：FCPF36N60NT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG47N60E-E3-ND
  别名：SIHG47N60EE3
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 34.9A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA36N60NF
  仓库库存编号：FCA36N60NF-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB36NM60N
  仓库库存编号：497-12972-1-ND
  别名：497-12972-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH47N60_F085
  仓库库存编号：FCH47N60_F085-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 76A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 595W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH041N60F_F085
  仓库库存编号：FCH041N60F_F085-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 72.8A（Tc） 543W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH76N60NF
  仓库库存编号：FCH76N60NF-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH47N60F_F085
  仓库库存编号：FCH47N60F_F085-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS127H6327XTSA2
  仓库库存编号：BSS127H6327XTSA2CT-ND
  别名：BSS127H6327XTSA2CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R2K1CEATMA1
  仓库库存编号：IPN60R2K1CEATMA1CT-ND
  别名：IPN60R2K1CEATMA1CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600E6
  仓库库存编号：IPD60R600E6CT-ND
  别名：IPD60R600E6CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R2K1CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R2K1CEAUMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K0CEATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP125H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP125H6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R1K4C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K4C6ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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