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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 70A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN70N60Q2
  仓库库存编号：IXFN70N60Q2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 143A 833W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTC60AM18SCG
  仓库库存编号：APTC60AM18SCG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF04N60ZG
  仓库库存编号：NDF04N60ZGOS-ND
  别名：NDF04N60ZG-ND
  NDF04N60ZGOS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 23W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2N60C
  仓库库存编号：FQPF2N60C-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.3A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R400CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R400CEXKSA1-ND
  别名：SP001276040
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP2N60C
  仓库库存编号：FQP2N60CFS-ND
  别名：FQP2N60C-ND
  FQP2N60CFS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 160mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN2460N3-G
  仓库库存编号：VN2460N3-G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1R4N60P
  仓库库存编号：IXTY1R4N60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6004ENX
  仓库库存编号：R6004ENX-ND
  别名：R6004ENXCT
  R6004ENXCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 39W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF10N60ZH
  仓库库存编号：NDF10N60ZHOS-ND
  别名：NDF10N60ZH-ND
  NDF10N60ZHOS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT10N60
  仓库库存编号：785-1191-5-ND
  别名：785-1191-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC30PBF
  仓库库存编号：IRFBC30PBF-ND
  别名：*IRFBC30PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP4N60
  仓库库存编号：FCP4N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40PBF
  仓库库存编号：IRFBC40PBF-ND
  别名：*IRFBC40PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.4A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK5Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK5Q60WS1VQ-ND
  别名：TK5Q60W,S1VQ(S
  TK5Q60WS1VQ
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40APBF
  仓库库存编号：IRFBC40APBF-ND
  别名：*IRFBC40APBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.4A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK5A60WS4VX-ND
  别名：TK5A60W,S4VX(M
  TK5A60WS4VX
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF15N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15885-5-ND
  别名：497-15885-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 15A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 27.8W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF15S60L
  仓库库存编号：785-1518-5-ND
  别名：AOTF15S60L-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R190P6
  仓库库存编号：IPA60R190P6-ND
  别名：IPA60R190P6XKSA1
  SP001017080
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6020ENX
  仓库库存编号：R6020ENX-ND
  别名：R6020ENXCT
  R6020ENXCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF12N60E-E3
  仓库库存编号：SIHF12N60E-E3-ND
  别名：SIHF12N60EE3
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 100W（Tc） TO-220
  
  型号：TK10E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK10E60WS1VX-ND
  别名：TK10E60W,S1VX(S
  TK10E60WS1VX
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190C6
  仓库库存编号：IPP60R190C6-ND
  别名：IPP60R190C6XKSA1
  SP000621158
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190P6
  仓库库存编号：IPW60R190P6-ND
  别名：IPW60R190P6FKSA1
  SP001017090
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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