规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 29W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF7T60PL
仓库库存编号:
785-1653-5-ND
别名:785-1653-5
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.4A(Tc) 114W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD4N60NZ
仓库库存编号:
FDD4N60NZCT-ND
别名:FDD4N60NZCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF5N60NZ
仓库库存编号:
FDPF5N60NZ-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK3A60DA(Q,M)
仓库库存编号:
TK3A60DA(QM)-ND
别名:TK3A60DA(Q)
TK3A60DA(Q)-ND
TK3A60DA(QM)
TK3A60DAQM
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 272W(Tc) TO-262
型号:
AOW11N60
仓库库存编号:
785-1426-5-ND
别名:785-1426-5
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 37.9W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11N60L
仓库库存编号:
785-1435-5-ND
别名:785-1435-5
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF7N60NZT
仓库库存编号:
FDPF7N60NZT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD6N60M2
仓库库存编号:
497-13939-1-ND
别名:497-13939-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP5N60NZ
仓库库存编号:
FDP5N60NZ-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 28W(Tc) TO-262F
型号:
AOWF12T60P
仓库库存编号:
785-1702-5-ND
别名:785-1693-5
785-1693-5-ND
785-1702-5
AOWF12T60P-ND
AOWF12T60PL
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF12T60PL
仓库库存编号:
785-1692-5-ND
别名:785-1692-5
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 4W(Ta), 67W(Tc) PowerFLAT?(5x5)
型号:
STL7N60M2
仓库库存编号:
497-16519-1-ND
别名:497-16519-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Tc) 45W(Tc) DPAK
型号:
STD5N60M2
仓库库存编号:
497-14982-1-ND
别名:497-14982-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Tc) 3.13W(Ta),147W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI8N60CTU
仓库库存编号:
FQI8N60CTU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF6N60ZUT
仓库库存编号:
FDPF6N60ZUT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 89W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF600N60Z
仓库库存编号:
FCPF600N60Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 100W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N60CTM_WS
仓库库存编号:
FQB5N60CTM_WSCT-ND
别名:FQB5N60CTM_WSCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD9N60M2
仓库库存编号:
497-13864-1-ND
别名:497-13864-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF12N60NZ
仓库库存编号:
FDPF12N60NZ-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD13NM60N
仓库库存编号:
497-8773-1-ND
别名:497-8773-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Tc) 3.13W(Ta),147W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB8N60CTM_WS
仓库库存编号:
FQB8N60CTM_WSCT-ND
别名:FQB8N60CTM_WSCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 240W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP12N60NZ
仓库库存编号:
FDP12N60NZ-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 114W(Tc) TO-252
型号:
IXFY4N60P3
仓库库存编号:
IXFY4N60P3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD12N60M2
仓库库存编号:
497-16033-1-ND
别名:497-16033-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 3.13W(Ta),100W(Tc) I2PAK
型号:
FQI5N60CTU
仓库库存编号:
FQI5N60CTU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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