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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
  
  型号：R6007ENJTL
  仓库库存编号：R6007ENJTLCT-ND
  别名：R6007ENJTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL12N60M2
  仓库库存编号：497-16039-1-ND
  别名：497-16039-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP4N60P3
  仓库库存编号：IXFP4N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FCPF7N60YDTU
  仓库库存编号：FCPF7N60YDTU-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R380E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R380E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R380E6
  IPA60R380E6-ND
  SP000795300
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10.2A（Tc） 31W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF380N60_F152
  仓库库存编号：FCPF380N60_F152-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 89W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP600N60Z
  仓库库存编号：FCP600N60Z-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB10N60M2
  仓库库存编号：497-14528-1-ND
  别名：497-14528-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） I2PAK
  
  型号：FCI7N60
  仓库库存编号：FCI7N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 124W（Tc） TO-263
  
  型号：R6011KNJTL
  仓库库存编号：R6011KNJTLCT-ND
  别名：R6011KNJTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N60
  仓库库存编号：FQPF7N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 600V 3A TO-220D
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220D-A1
  
  型号：2SK3048
  仓库库存编号：2SK3048-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP7N60
  仓库库存编号：FCP7N60-ND
  别名：FCP7N60_NL
  FCP7N60_NL-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL10N60M2
  仓库库存编号：497-14965-1-ND
  别名：497-14965-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
  
  型号：R6009ENJTL
  仓库库存编号：R6009ENJTLCT-ND
  别名：R6009ENJTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL25N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16249-1-ND
  别名：497-16249-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL16N60M2
  仓库库存编号：497-16003-1-ND
  别名：497-16003-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
  
  型号：R6020ENJTL
  仓库库存编号：R6020ENJTLCT-ND
  别名：R6020ENJTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB18N60M2
  仓库库存编号：497-13933-1-ND
  别名：497-13933-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF12N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF12N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHF12N60E-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF10N60ZUT
  仓库库存编号：FDPF10N60ZUT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 327W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP14N60P3
  仓库库存编号：IXFP14N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：TK16E60W5,S1VX
  仓库库存编号：TK16E60W5S1VX-ND
  别名：TK16E60W5,S1VX(S
  TK16E60W5S1VX
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 327W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA14N60P3
  仓库库存编号：IXFA14N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 20A POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 231W（Tc） TO-263
  
  型号：R6020KNJTL
  仓库库存编号：R6020KNJTLCT-ND
  别名：R6020KNJTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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