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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 312W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB36N60NTM
  仓库库存编号：FCB36N60NTMCT-ND
  别名：FCB36N60NTMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH26N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH26N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH26N60EF-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 227.2W（Tc） TO-3PSG
  
  型号：RJK60S7DPK-M0#T0
  仓库库存编号：RJK60S7DPK-M0#T0-ND
  别名：RJK60S7DPKM0T0
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34.7W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK60S7DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK60S7DPP-E0#T2-ND
  别名：RJK60S7DPPE0T2
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT43M60B2
  仓库库存编号：APT43M60B2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT43F60B2
  仓库库存编号：APT43F60B2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX48N60Q3
  仓库库存编号：IXFX48N60Q3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK48N60Q3
  仓库库存编号：IXFK48N60Q3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N60P3
  仓库库存编号：IXFN80N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX64N60Q3
  仓库库存编号：IXFX64N60Q3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 568W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR64N60Q3
  仓库库存编号：IXFR64N60Q3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 49A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT47F60J
  仓库库存编号：APT47F60J-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
  详细描述：Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60AM45BC1G
  仓库库存编号：APTC60AM45BC1G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 48W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R800CEATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R600P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN60R600P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN60R600P7SATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R1K4C6
  仓库库存编号：IPD60R1K4C6CT-ND
  别名：IPD60R1K4C6CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB02N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB02N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB02N60S5INCT
  SPB02N60S5INCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R600C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R600C6BKMA1-ND
  别名：SP000931534
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600C6ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R360P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN60R360P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN60R360P7SATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R450E6
  仓库库存编号：IPD60R450E6CT-ND
  别名：IPD60R450E6CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R380C6
  仓库库存编号：IPB60R380C6CT-ND
  别名：IPB60R380C6CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R330P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R330P6XKSA1-ND
  别名：SP001017074
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R385CP
  仓库库存编号：IPL60R385CPCT-ND
  别名：IPL60R385CPCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R280P6FKSA1
  仓库库存编号：IPW60R280P6FKSA1-ND
  别名：SP001017086
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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