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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH22N60P3
  仓库库存编号：IXFH22N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW34NM60ND
  仓库库存编号：497-11366-5-ND
  别名：497-11366-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX32P60P
  仓库库存编号：IXTX32P60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 98A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY100NM60N
  仓库库存编号：497-13289-5-ND
  别名：497-13289-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 85A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） TO-264A
  
  型号：IXKK85N60C
  仓库库存编号：IXKK85N60C-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 61W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD03N60ZT4G
  仓库库存编号：NDD03N60ZT4GOSCT-ND
  别名：NDD03N60ZT4GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Tc） 83W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R400CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R400CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R400CEATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：R6004ENDTL
  仓库库存编号：R6004ENDTLCT-ND
  别名：R6004ENDTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 56.8W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU3N60
  仓库库存编号：785-1182-5-ND
  别名：785-1182-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N60CTU
  仓库库存编号：FQU2N60CTU-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 83W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD04N60Z-1G
  仓库库存编号：NDD04N60Z-1GOS-ND
  别名：NDD04N60Z-1G-ND
  NDD04N60Z-1GOS
  NDD04N60Z1G
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R280C6
  仓库库存编号：IPB60R280C6CT-ND
  别名：IPB60R280C6CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 39W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF10N60ZG
  仓库库存编号：NDF10N60ZGOS-ND
  别名：NDF10N60ZG-ND
  NDF10N60ZGOS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU10N60M2
  仓库库存编号：497-13977-5-ND
  别名：497-13977-5
  STU10N60M2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7NM60N
  仓库库存编号：497-10570-5-ND
  别名：497-10570-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC30GPBF
  仓库库存编号：IRFIBC30GPBF-ND
  别名：*IRFIBC30GPBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 417W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK20N60L
  仓库库存编号：785-1532-5-ND
  别名：AOK20N60L-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF28N60M2
  仓库库存编号：497-14216-5-ND
  别名：497-14216-5
  STF28N60M2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP22N60N
  仓库库存编号：FCP22N60N-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH50N60P3
  仓库库存编号：IXFH50N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-247
  
  型号：TK62N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK62N60WS1VF-ND
  别名：TK62N60W,S1VF(S
  TK62N60WS1VF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB110N60P3
  仓库库存编号：IXFB110N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB70N60Q2
  仓库库存编号：IXFB70N60Q2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD8N60DM2
  仓库库存编号：497-16930-1-ND
  别名：497-16930-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10N60M2
  仓库库存编号：497-13937-1-ND
  别名：497-13937-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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