规格:漏源电压(Vdss) 550V,
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 550V 33A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP36N55M5
仓库库存编号:
497-13275-5-ND
别名:497-13275-5
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 500V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Tc) 114W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD12N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHD12N50E-GE3-ND
别名:SIHD12N50E-GE3CT
SIHD12N50E-GE3CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 13A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF18N55M5
仓库库存编号:
497-11324-5-ND
别名:497-11324-5
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R140CP
仓库库存编号:
IPW50R140CP-ND
别名:IPW50R140CPFKSA1
SP000234989
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R299CPXKSA1-ND
别名:IPP50R299CP
IPP50R299CPIN
IPP50R299CPIN-ND
IPP50R299CPXK
SP000680938
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R199CPXKSA1-ND
别名:IPP50R199CP
IPP50R199CP-ND
SP000680934
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB12NM50T4
仓库库存编号:
497-5381-1-ND
别名:497-5381-1
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 23A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP50R140CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R140CPXKSA1-ND
别名:SP000680932
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Ta),13A(Tc) 3W(Ta),90W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL18N55M5
仓库库存编号:
497-12979-1-ND
别名:497-12979-1
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.5A(Tc) 2.8W(Ta),150W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL36N55M5
仓库库存编号:
497-13601-1-ND
别名:497-13601-1
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50R140CP
仓库库存编号:
IPB50R140CPCT-ND
别名:IPB50R140CPCT
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 550V 33A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW36N55M5
仓库库存编号:
497-13285-5-ND
别名:497-13285-5
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD50R500CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEAUMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.1A(Tc) 119W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD50R280CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R280CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R280CEAUMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD18N55M5
仓库库存编号:
497-10955-1-ND
别名:497-10955-1
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP18N55M5
仓库库存编号:
497-10963-5-ND
别名:497-10963-5
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 192W(Tc) D2PAK
型号:
STB20NM50T4
仓库库存编号:
497-5312-2-ND
别名:497-5312-2
Q1966796
STB20NM50T4-ND
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 192W(Tc) I2PAK
型号:
STB20NM50-1
仓库库存编号:
497-5382-5-ND
别名:497-5382-5
STB20NM50-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK5A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK5A55D(STA4QM)-ND
别名:TK5A55D(STA4QM)
TK5A55DSTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK6A55DA(STA4QM)
TK6A55DASTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK7A55D(STA4QM)-ND
别名:TK7A55D(STA4QM)
TK7A55DSTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK8A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK8A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK8A55DA(STA4QM)
TK8A55DASTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK9A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK9A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK9A55DA(STA4QM)
TK9A55DASTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK10A55D(STA4QM)-ND
别名:TK10A55D(STA4QM)
TK10A55DSTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK11A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK11A55D(STA4QM)-ND
别名:TK11A55D(STA4QM)
TK11A55DSTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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