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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V SMD1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
  
  型号：2N7227U
  仓库库存编号：2N7227U-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
  
  型号：2N6760
  仓库库存编号：2N6760-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：2N6768
  仓库库存编号：2N6768-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6800
  仓库库存编号：2N6800-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6800U
  仓库库存编号：2N6800U-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V 14A TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Ta） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：2N6768T1
  仓库库存编号：2N6768T1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 含铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A040CG
  仓库库存编号：GP1M003A040CG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A040PG
  仓库库存编号：GP1M003A040PG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M005A040CG
  仓库库存编号：GP1M005A040CG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M005A040PG
  仓库库存编号：GP1M005A040PG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 400V 86A（Tc） 690W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT40M42JN
  仓库库存编号：APT40M42JN-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 400V 56A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT40M75JN
  仓库库存编号：APT40M75JN-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Ta） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3103
  仓库库存编号：IRFR3103-ND
  别名：*IRFR3103
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Ta） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3103TRL
  仓库库存编号：IRFR3103TRL-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Ta） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3103TR
  仓库库存编号：IRFR3103TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Ta） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3103TRR
  仓库库存编号：IRFR3103TRR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP298 E6327
  仓库库存编号：BSP298 E6327-ND
  别名：BSP298E6327T
  SP000011109
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP298L6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP298L6327HUSA1TR-ND
  别名：BSP298 L6327
  BSP298 L6327-ND
  BSP298L6327XT
  SP000088258
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 170mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP324 E6327
  仓库库存编号：BSP324 E6327-ND
  别名：BSP324E6327T
  SP000011117
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 170mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP324L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP324L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP324 L6327CT
  BSP324 L6327CT-ND
  BSP324L6327
  
  规格：漏源电压（Vdss） 400V,
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