品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R1K4P7AKMA1-ND
别名:SP001422736
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K4P7AKMA1-ND
别名:SP001422742
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 5.7A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA80R1K0CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R1K0CEXKSA2-ND
别名:SP001313392
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R1K4P7XKSA1-ND
别名:SP001422718
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 24W(Tc) TO-220-3F
型号:
IPA80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K4P7XKSA1-ND
别名:SP001422546
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 16.7A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA80R310CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R310CEXKSA2-ND
别名:SP001313398
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 73W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP80R450P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R450P7XKSA1-ND
别名:SP001422730
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 6W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R4K5P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R4K5P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R4K5P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 13W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R4K5P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R4K5P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R4K5P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD02N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD02N80C3ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 6W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R2K0P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R2K0P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R2K0P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R1K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R1K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R1K4P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD04N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD04N80C3ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K0CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K0CEATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R900P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R900P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R900P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA06N80C3
仓库库存编号:
SPA06N80C3IN-ND
别名:SP000216302
SPA06N80C3IN
SPA06N80C3X
SPA06N80C3XK
SPA06N80C3XKSA1
SPA06N80C3XTIN
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA04N80C3
仓库库存编号:
SPA04N80C3IN-ND
别名:SP000216300
SPA04N80C3IN
SPA04N80C3X
SPA04N80C3XK
SPA04N80C3XKSA1
SPA04N80C3XTIN
SPA04N80C3XTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI08N80C3
仓库库存编号:
SPI08N80C3IN-ND
别名:SP000014819
SP000683148
SPI08N80C3-ND
SPI08N80C3IN
SPI08N80C3X
SPI08N80C3XK
SPI08N80C3XKSA1
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R2K8CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K8CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R2K8CEATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 18W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R3K3P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R3K3P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R3K3P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 22W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R2K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R2K4P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 24W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R2K0P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K0P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R2K0P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R1K4CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4CEATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R1K2P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K2P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R900P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R900P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R900P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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