规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220D
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2A(Tc) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220D-A1
型号:
2SK3047
仓库库存编号:
2SK3047-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE20G
仓库库存编号:
IRFIBE20G-ND
别名:*IRFIBE20G
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE30G
仓库库存编号:
IRFIBE30G-ND
别名:*IRFIBE30G
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.4A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE40
仓库库存编号:
IRFPE40-ND
别名:*IRFPE40
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE20L
仓库库存编号:
IRFBE20L-ND
别名:*IRFBE20L
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20S
仓库库存编号:
IRFBE20S-ND
别名:*IRFBE20S
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20STRL
仓库库存编号:
IRFBE20STRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20STRR
仓库库存编号:
IRFBE20STRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE30L
仓库库存编号:
IRFBE30L-ND
别名:*IRFBE30L
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30S
仓库库存编号:
IRFBE30S-ND
别名:*IRFBE30S
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRL
仓库库存编号:
IRFBE30STRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRR
仓库库存编号:
IRFBE30STRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 45A(Tc) 600W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE45NK80ZD
仓库库存编号:
497-5387-5-ND
别名:497-5387-5
STE45NK80ZD-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N80TF
仓库库存编号:
FQD1N80TF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF3N80CYDTU
仓库库存编号:
FQPF3N80CYDTU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N80TU
仓库库存编号:
FQU2N80TU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N80TF
仓库库存编号:
FQD2N80TF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.4A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2N80TU
仓库库存编号:
FQI2N80TU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N80
仓库库存编号:
FQPF3N80-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3N80TM
仓库库存编号:
FQB3N80TM-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 3.13W(Ta),107W(Tc) I2PAK
型号:
FQI3N80TU
仓库库存编号:
FQI3N80TU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 2.4A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N80TM
仓库库存编号:
FQB2N80TM-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP3N80
仓库库存编号:
FQP3N80-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.2A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N80
仓库库存编号:
FQPF4N80-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.8A(Tc) 140W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP5N80
仓库库存编号:
FQP5N80-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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