规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6.3A(Tc) 185W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA6N80_F109
仓库库存编号:
FQA6N80_F109-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7.2A(Tc) 198W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA7N80_F109
仓库库存编号:
FQA7N80_F109-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8.4A(Tc) 220W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA8N80C_F109
仓库库存编号:
FQA8N80C_F109-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Ta) 75W(Tc) TO-220SM
型号:
2SK2883(TE24L,Q)
仓库库存编号:
2SK2883(TE24L,Q)-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC15N80Q
仓库库存编号:
IXFC15N80Q-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 12A(Ta) 2.5W(Ta),190W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4209
仓库库存编号:
2SK4209-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.3A(Ta) 2W(Ta),36W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4004
仓库库存编号:
BFL4004-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 12A(Tc) 337W(Tc) D3Pak
型号:
APT11F80S
仓库库存编号:
APT11F80S-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 19A(Tc) 500W(Tc) D3Pak
型号:
APT18M80S
仓库库存编号:
APT18M80S-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-220
型号:
GP1M003A080H
仓库库存编号:
GP1M003A080H-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M003A080PH
仓库库存编号:
GP1M003A080PH-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 40.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M008A080FH
仓库库存编号:
GP1M008A080FH-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
GP1M003A080CH
仓库库存编号:
1560-1155-1-ND
别名:1560-1155-1
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M003A080FH
仓库库存编号:
1560-1156-5-ND
别名:1560-1156-1
1560-1156-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
GP1M008A080H
仓库库存编号:
1560-1170-5-ND
别名:1560-1170-1
1560-1170-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M010A080FH
仓库库存编号:
1560-1176-5-ND
别名:1560-1176-1
1560-1176-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP1M010A080H
仓库库存编号:
1560-1177-5-ND
别名:1560-1177-1
1560-1177-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M007A080F
仓库库存编号:
1560-1203-5-ND
别名:1560-1203-1
1560-1203-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 800V 12A(Tc) 416W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M012A080NG
仓库库存编号:
1560-1211-5-ND
别名:1560-1211-1
1560-1211-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7.4A(Tc) 245W(Tc) TO-220-3
型号:
AOT8N80L_001
仓库库存编号:
AOT8N80L_001-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 40A(Tc) 690W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8018JN
仓库库存编号:
APT8018JN-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT8075BN
仓库库存编号:
APT8075BN-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
BUZ80A
仓库库存编号:
BUZ80AIN-ND
别名:BUZ80AIN
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Ta) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD06N80C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD06N80C3BTMA1CT-ND
别名:SPD06N80C3INCT
SPD06N80C3INCT-ND
SPD06N80C3XTINCT
SPD06N80C3XTINCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 190mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP300 E6327
仓库库存编号:
BSP300 E6327-ND
别名:BSP300E6327T
SP000011111
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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