规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 190mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP300L6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP300L6327HUSA1TR-ND
别名:BSP300 L6327
BSP300 L6327-ND
BSP300L6327XT
SP000089201
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 17A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW17N80C3A
仓库库存编号:
SPW17N80C3A-ND
别名:SP000101842
SPW17N80C3AX
SPW17N80C3AXK
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 2A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N80C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD02N80C3BTMA1CT-ND
别名:SPD02N80C3INCT
SPD02N80C3INCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N80C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD04N80C3BTMA1CT-ND
别名:SPD04N80C3INCT
SPD04N80C3INCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K4CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K4CEBKMA1-ND
别名:SP001100620
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K8CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K8CEBKMA1-ND
别名:SP001100622
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K0CEBKMA1-ND
别名:SP001100624
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R2K8CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K8CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R2K8CEBTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R1K4CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4CEBTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R1K0CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K0CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R1K0CEBTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.6A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001271058
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6.8A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R310CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R310CEXKSA1-ND
别名:SP001271076
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.8A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R1K4CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K4CEXKSA1-ND
别名:SP001271052
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R460CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R460CEXKSA1-ND
别名:SP001271070
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.5A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R650CEXKSA1
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别名:SP001286432
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