规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N80CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N80CP ROGCT-ND
别名:TSM3N80CP ROGCT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N80CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N80CP ROGDKR-ND
别名:TSM3N80CP ROGDKR
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N950CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N950CP ROGTR-ND
别名:TSM80N950CP ROGTR
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N950CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N950CP ROGCT-ND
别名:TSM80N950CP ROGCT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N950CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N950CP ROGDKR-ND
别名:TSM80N950CP ROGDKR
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 5.5A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N1R2CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N1R2CP ROGTR-ND
别名:TSM80N1R2CP ROGTR
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 5.5A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N1R2CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N1R2CP ROGCT-ND
别名:TSM80N1R2CP ROGCT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 5.5A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N1R2CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N1R2CP ROGDKR-ND
别名:TSM80N1R2CP ROGDKR
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM3N80CH C5G
仓库库存编号:
TSM3N80CH C5G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF2N80K5
仓库库存编号:
497-14270-5-ND
别名:497-14270-5
STF2N80K5-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STD3NK80Z-1
仓库库存编号:
497-12557-5-ND
别名:497-12557-5
STD3NK80Z-1-ND
STD3NK80Z1
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 75W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FCU850N80Z
仓库库存编号:
FCU850N80Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK-FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI6N80K5
仓库库存编号:
497-15020-5-ND
别名:497-15020-5
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
STD7NM80-1
仓库库存编号:
497-12787-5-ND
别名:497-12787-5
STD7NM80-1-ND
STD7NM801
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 6A I2PAK-FP
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI7N80K5
仓库库存编号:
497-14557-5-ND
别名:497-14557-5
STFI7N80K5-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A80W,S4X
仓库库存编号:
TK10A80WS4X-ND
别名:TK10A80W,S4X(S
TK10A80WS4X
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 10A
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 162W(Tc) TO-220
型号:
FCP650N80Z
仓库库存编号:
FCP650N80Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A80W,S4X
仓库库存编号:
TK12A80WS4X-ND
别名:TK12A80W,S4X(S
TK12A80WS4X
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Ta) 165W(Tc) TO-220
型号:
TK12E80W,S1X
仓库库存编号:
TK12E80WS1X-ND
别名:TK12E80W,S1X(S
TK12E80WS1X
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) TO-251
型号:
STU8N80K5
仓库库存编号:
497-13658-5-ND
别名:497-13658-5
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 800V 12A
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
CDM22012-800LRFP SL
仓库库存编号:
CDM22012-800LRFP SL-ND
别名:CDM22012-800LRFP PBFREE
CDM22012-800LRFP PBFREECT
CDM22012-800LRFP PBFREECT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP8N80K5
仓库库存编号:
497-13655-5-ND
别名:497-13655-5
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3
型号:
STP7NM80
仓库库存编号:
497-8813-5-ND
别名:497-8813-5
STP7NM80-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
STU7N80K5
仓库库存编号:
497-13656-5-ND
别名:497-13656-5
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK17A80W,S4X
仓库库存编号:
TK17A80WS4X-ND
别名:TK17A80W,S4X(S
TK17A80WS4X
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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