规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Ta) 180W(Tc) TO-220
型号:
TK17E80W,S1X
仓库库存编号:
TK17E80WS1X-ND
别名:TK17E80W,S1X(S
TK17E80WS1X
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE30PBF
仓库库存编号:
IRFPE30PBF-ND
别名:*IRFPE30PBF
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 19.5A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
STP25N80K5
仓库库存编号:
497-13653-5-ND
别名:497-13653-5
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 19.5A(Tc) 250W(Tc) TO-247
型号:
STW25N80K5
仓库库存编号:
497-13659-5-ND
别名:497-13659-5
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R1K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4P7ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 800V SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mW(Ta) SOT-23
型号:
CPC3982TTR
仓库库存编号:
CLA4160-1-ND
别名:CLA4160-1
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 13W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R4K5P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R4K5P7AKMA1-ND
别名:SP001422748
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N80TM
仓库库存编号:
FQD1N80TMCT-ND
别名:FQD1N80TMCT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 32W(Tc) I-Pak
型号:
FCU3400N80Z
仓库库存编号:
FCU3400N80Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 32W(Tc) DPAK
型号:
FCD3400N80Z
仓库库存编号:
FCD3400N80ZCT-ND
别名:FCD3400N80ZCT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU1N80TU
仓库库存编号:
FQU1N80TU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tc) 2.1W(Tc) SOT-223-3
型号:
FQT1N80TF_WS
仓库库存编号:
FQT1N80TF_WSCT-ND
别名:FQT1N80TF_WSCT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD3N80
仓库库存编号:
785-1620-1-ND
别名:785-1620-1
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.6A(Tc) 39W(Tc) I-Pak
型号:
FCU2250N80Z
仓库库存编号:
FCU2250N80Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 73W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R450P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R450P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R450P7ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 27.8W(Tc) I-Pak
型号:
FCU4300N80Z
仓库库存编号:
FCU4300N80Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 800 V, 2.75 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 45W(Tc) DPAK
型号:
STD3LN80K5
仓库库存编号:
497-16927-1-ND
别名:497-16927-1
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 3A 800V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 80W(Tc) DPAK
型号:
CDM3-800 TR13
仓库库存编号:
CDM3-800 TR13CT-ND
别名:CDM3-800 TR13CT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 39W(Tc) D-Pak
型号:
FCD2250N80Z
仓库库存编号:
FCD2250N80ZCT-ND
别名:FCD2250N80ZCT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD5N80K5
仓库库存编号:
497-16929-1-ND
别名:497-16929-1
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB4N80TM
仓库库存编号:
FQB4N80TMCT-ND
别名:FQB4N80TMCT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 85W(Tc) D2PAK
型号:
STB6N80K5
仓库库存编号:
497-14974-1-ND
别名:497-14974-1
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 24W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF1300N80Z
仓库库存编号:
FCPF1300N80Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB7NK80ZT4
仓库库存编号:
497-6557-1-ND
别名:497-6557-1
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 42W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL7N80K5
仓库库存编号:
497-14059-1-ND
别名:497-14059-1
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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