规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP3NK80Z
仓库库存编号:
497-4379-5-ND
别名:497-4379-5
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP5NK80ZFP
仓库库存编号:
497-12056-5-ND
别名:497-12056-5
STP5NK80ZFP-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP7NK80ZFP
仓库库存编号:
497-11399-5-ND
别名:497-11399-5
STP7NK80ZFP-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 85W(Tc) TO-220
型号:
STP6N80K5
仓库库存编号:
497-15018-5-ND
别名:497-15018-5
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE30GPBF
仓库库存编号:
IRFIBE30GPBF-ND
别名:*IRFIBE30GPBF
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 44A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N80
仓库库存编号:
IXFN44N80-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.8A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE20PBF
仓库库存编号:
IRFBE20PBF-ND
别名:*IRFBE20PBF
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 51W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N80C
仓库库存编号:
FQPF6N80C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.6A(Tc) 167W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N80C
仓库库存编号:
FQP7N80C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 178W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP8N80C
仓库库存编号:
FQP8N80CFS-ND
别名:FQP8N80C-ND
FQP8N80CFS
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 59W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF8N80C
仓库库存编号:
FQPF8N80C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:N 沟道 8A(Ta) 33W(Tc) TO-220-3F
型号:
IPA80R650CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R650CEXKSA2-ND
别名:SP001313394
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2N80
仓库库存编号:
FQPF2N80-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A80E,S4X
仓库库存编号:
TK6A80ES4X-ND
别名:TK6A80E,S4X(S
TK6A80ES4X
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 40W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA08N80C3
仓库库存编号:
SPA08N80C3IN-ND
别名:SP000216310
SPA08N80C3IN
SPA08N80C3X
SPA08N80C3XK
SPA08N80C3XKSA1
SPA08N80C3XTIN
SPA08N80C3XTIN-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A80E,S4X
仓库库存编号:
TK10A80ES4X-ND
别名:TK10A80E,S4X(S
TK10A80ES4X
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N80C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP11N80C3XKSA1-ND
别名:SP000683158
SPP11N80C3
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3IN-ND
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3XTIN-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP7NK80Z
仓库库存编号:
497-15684-5-ND
别名:497-15684-5
STP7NK80Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N80C3
仓库库存编号:
SPW11N80C3IN-ND
别名:SP000013703
SPW11N80C3FKSA1
SPW11N80C3IN
SPW11N80C3X
SPW11N80C3XK
SPW11N80C3XTIN
SPW11N80C3XTIN-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF7N80K5
仓库库存编号:
497-13597-5-ND
别名:497-13597-5
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 35.7W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF400N80Z
仓库库存编号:
FCPF400N80Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 650W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH24N80P
仓库库存编号:
IXFH24N80P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK34N80
仓库库存编号:
IXFK34N80-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 33A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8020JLL
仓库库存编号:
APT8020JLL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 60W(Tc) 960W(Tc) SOT-227
型号:
APT58M80J
仓库库存编号:
APT58M80J-ND
别名:APT58M80JMI
APT58M80JMI-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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