规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 57W(Tc) TO-220FP
型号:
CDM2208-800FP SL
仓库库存编号:
CDM2208-800FP SL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6N80K5
仓库库存编号:
497-15014-5-ND
别名:497-15014-5
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE30LPBF
仓库库存编号:
IRFBE30LPBF-ND
别名:*IRFBE30LPBF
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Ta) 110W(Tc) TO-220
型号:
TK7E80W,S1X
仓库库存编号:
TK7E80WS1X-ND
别名:TK7E80W,S1X(S
TK7E80WS1X
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT11N80BC3G
仓库库存编号:
APT11N80BC3G-ND
别名:APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF18NM80
仓库库存编号:
497-13081-5-ND
别名:497-13081-5
STF18NM80-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 41A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 41A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT38F80L
仓库库存编号:
APT38F80L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Tc) 96W(Tc) DPAK
型号:
NDD03N80ZT4G
仓库库存编号:
NDD03N80ZT4GOSCT-ND
别名:NDD03N80ZT4GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 85W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N80
仓库库存编号:
FQP2N80-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 3.9A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R1K4CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R1K4CEXKSA2-ND
别名:SP001313390
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 19.2W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF4300N80Z
仓库库存编号:
FCPF4300N80Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R1K4P7AKMA1-ND
别名:SP001422736
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K4P7AKMA1-ND
别名:SP001422742
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 51W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N80CT
仓库库存编号:
FQPF6N80CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 5.7A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA80R1K0CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R1K0CEXKSA2-ND
别名:SP001313392
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R1K4P7XKSA1-ND
别名:SP001422718
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 24W(Tc) TO-220-3F
型号:
IPA80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K4P7XKSA1-ND
别名:SP001422546
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.6A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7N80C
仓库库存编号:
FQPF7N80C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 2.6A(Tc) 21.9W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF2250N80Z
仓库库存编号:
FCPF2250N80Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 52W(Tc) DPAK
型号:
FCD1300N80Z
仓库库存编号:
FCD1300N80ZCT-ND
别名:FCD1300N80ZCT
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 60W(Tc) D2PAK
型号:
STB5N80K5
仓库库存编号:
497-16923-1-ND
别名:497-16923-1
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF2N80YDTU
仓库库存编号:
FQPF2N80YDTU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 42W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL7LN80K5
仓库库存编号:
497-16496-1-ND
别名:497-16496-1
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 28.4W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF850N80Z
仓库库存编号:
FCPF850N80Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 3.9A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) I2PAK
型号:
FQI4N80TU
仓库库存编号:
FQI4N80TU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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