规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
详细描述：通孔 N 沟道 87A（Tc） 625W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
型号：
SIHS90N65E-E3
仓库库存编号：
SIHS90N65E-E3CT-ND
别名：SIHS90N65E-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 54A（Tc） 330W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR102N65X2
仓库库存编号：
IXTR102N65X2-ND
别名：632316
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STWA57N65M5
仓库库存编号：
497-13604-5-ND
别名：497-13604-5
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 49A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW54NM65ND
仓库库存编号：
497-12370-ND
别名：497-12370
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 84A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 450W（Tc） TO-247
型号：
STWA88N65M5
仓库库存编号：
497-13793-5-ND
别名：497-13793-5
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 35A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 125W（Tc） TO-247
型号：
TPH3205WSBQA
仓库库存编号：
TPH3205WSBQA-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R1K4CFDBTMA1
仓库库存编号：
IPD65R1K4CFDBTMA1CT-ND
别名：IPD65R1K4CFDBTMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R1K0CEXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R1K0CEXKSA1-ND
别名：SP001429758
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
型号：
STD9HN65M2
仓库库存编号：
497-16036-1-ND
别名：497-16036-1
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 4A 650V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 620mW（Ta）, 77W（Tc） DPAK
型号：
CDM4-650 TR13
仓库库存编号：
CDM4-650 TR13CT-ND
别名：CDM4-650 TR13CT
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 60W（Tc） DPAK
型号：
TK6P65W,RQ
仓库库存编号：
TK6P65WRQCT-ND
别名：TK6P65WRQCT
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 109W（Tc） DPAK
型号：
STD10N60DM2
仓库库存编号：
497-16924-1-ND
别名：497-16924-1
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD11N60DM2
仓库库存编号：
497-16925-1-ND
别名：497-16925-1
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD7S65
仓库库存编号：
785-1537-1-ND
别名：785-1537-1
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 7A 650V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 1.12W（Ta）, 140W（Tc） DPAK
型号：
CDM7-650 TR13
仓库库存编号：
CDM7-650 TR13CT-ND
别名：CDM7-650 TR13CT
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） DPAK
型号：
STD6N65M2
仓库库存编号：
497-15049-1-ND
别名：497-15049-1
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD12N65M2
仓库库存编号：
497-15458-1-ND
别名：497-15458-1
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL13N65M2
仓库库存编号：
497-15476-1-ND
别名：497-15476-1
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 57W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL18N65M2
仓库库存编号：
497-15477-1-ND
别名：497-15477-1
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Tj） 2.5W（Ta） TO-252-3
型号：
DN3765K4-G
仓库库存编号：
DN3765K4-GCT-ND
别名：DN3765K4-GCT
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） D2PAK
型号：
TK14G65W5,RQ
仓库库存编号：
TK14G65W5RQCT-ND
别名：TK14G65W5RQCT
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD16N65M2
仓库库存编号：
497-15258-1-ND
别名：497-15258-1
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA11N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA11N65C3XKSA1-ND
别名：SP000216318
SPA11N65C3
SPA11N65C3IN
SPA11N65C3IN-ND
SPA11N65C3XK
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
型号：
STB8NM60T4
仓库库存编号：
497-5386-1-ND
别名：497-5386-1
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD11NM65N
仓库库存编号：
497-13352-1-ND
别名：497-13352-1
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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