规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
详细描述:Mosfet Array 5 N-Channel (Solar Inverter) 650V 36A 250W Chassis Mount F1
型号:
FPF1C2P5BF07A
仓库库存编号:
FPF1C2P5BF07A-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N60C3
仓库库存编号:
SPD03N60C3INCT-ND
别名:SPD03N60C3INCT
SPD03N60C3XTINCT
SPD03N60C3XTINCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1-ND
IPD60R1K5CEAUMA1TR
SP001396902
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1DKR
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6BTMA1CT
IPD65R380C6CT
IPD65R380C6CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R420CFD
仓库库存编号:
IPB65R420CFDCT-ND
别名:IPB65R420CFDCT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.1A(Tc) 208W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R250E6XTMA1
仓库库存编号:
IPD65R250E6XTMA1CT-ND
别名:IPD65R250E6XTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R225C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R225C7ATMA1CT-ND
别名:IPB65R225C7ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 81W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R185P7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R185P7AUMA1CT-ND
别名:IPL60R185P7AUMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190CFD
仓库库存编号:
IPB65R190CFDCT-ND
别名:IPB65R190CFDCT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 67W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R230C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R230C7AUMA1CT-ND
别名:IPL65R230C7AUMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.4A(Tc) 139W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R199CP
仓库库存编号:
IPL60R199CPCT-ND
别名:IPL60R199CPCT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R150CFDATMA1
仓库库存编号:
IPB65R150CFDATMA1CT-ND
别名:IPB65R150CFDATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 106W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R150G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R150G7XTMA1CT-ND
别名:IPT60R150G7XTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 120W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R125G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R125G7XTMA1CT-ND
别名:IPT60R125G7XTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 102W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R130C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R130C7AUMA1CT-ND
别名:IPL65R130C7AUMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 141W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R102G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R102G7XTMA1CT-ND
别名:IPT60R102G7XTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 278W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R099C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R099C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R099C6ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 169W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R070C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R070C7AUMA1CT-ND
别名:IPL65R070C7AUMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 143A(Tc) 679W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE145N65M5
仓库库存编号:
497-15112-5-ND
别名:497-15112-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP13N65M2
仓库库存编号:
497-15555-5-ND
别名:497-15555-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 1040W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX100N65X2
仓库库存编号:
IXFX100N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 145A(Tc) 1040W(Tc) SOT-227
型号:
IXFN150N65X2
仓库库存编号:
IXFN150N65X2-ND
别名:632512
IXFN150N65X2X
IXFN150N65X2X-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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