以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
  详细描述：Mosfet Array 5 N-Channel (Solar Inverter) 650V 36A 250W Chassis Mount F1
  
  型号：FPF1C2P5BF07A
  仓库库存编号：FPF1C2P5BF07A-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD03N60C3
  仓库库存编号：SPD03N60C3INCT-ND
  别名：SPD03N60C3INCT
  SPD03N60C3XTINCT
  SPD03N60C3XTINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1-ND
  IPD60R1K5CEAUMA1TR
  SP001396902
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1DKR
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R380C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD65R380C6ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380C6BTMA1
  仓库库存编号：IPD65R380C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R380C6BTMA1CT
  IPD65R380C6CT
  IPD65R380C6CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R420CFD
  仓库库存编号：IPB65R420CFDCT-ND
  别名：IPB65R420CFDCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.1A（Tc） 208W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R250E6XTMA1
  仓库库存编号：IPD65R250E6XTMA1CT-ND
  别名：IPD65R250E6XTMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R225C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R225C7ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R225C7ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 81W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R185P7AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R185P7AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R185P7AUMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R190CFD
  仓库库存编号：IPB65R190CFDCT-ND
  别名：IPB65R190CFDCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 67W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R230C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R230C7AUMA1CT-ND
  别名：IPL65R230C7AUMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Tc） 139W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R199CP
  仓库库存编号：IPL60R199CPCT-ND
  别名：IPL60R199CPCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R150CFDATMA1
  仓库库存编号：IPB65R150CFDATMA1CT-ND
  别名：IPB65R150CFDATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 106W（Tc） PG-HSOF-8
  
  型号：IPT60R150G7XTMA1
  仓库库存编号：IPT60R150G7XTMA1CT-ND
  别名：IPT60R150G7XTMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 120W（Tc） PG-HSOF-8
  
  型号：IPT60R125G7XTMA1
  仓库库存编号：IPT60R125G7XTMA1CT-ND
  别名：IPT60R125G7XTMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 102W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R130C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R130C7AUMA1CT-ND
  别名：IPL65R130C7AUMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 141W（Tc） PG-HSOF-8
  
  型号：IPT60R102G7XTMA1
  仓库库存编号：IPT60R102G7XTMA1CT-ND
  别名：IPT60R102G7XTMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R099C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R099C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R099C6ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 169W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R070C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R070C7AUMA1CT-ND
  别名：IPL65R070C7AUMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 143A（Tc） 679W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE145N65M5
  仓库库存编号：497-15112-5-ND
  别名：497-15112-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP13N65M2
  仓库库存编号：497-15555-5-ND
  别名：497-15555-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX100N65X2
  仓库库存编号：IXFX100N65X2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 145A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227
  
  型号：IXFN150N65X2
  仓库库存编号：IXFN150N65X2-ND
  别名：632512
  IXFN150N65X2X
  IXFN150N65X2X-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
• 
  
  无铅
• 搜索