规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU9N65M2
仓库库存编号:
497-15046-5-ND
别名:497-15046-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK5A65W,S5X
仓库库存编号:
TK5A65WS5X-ND
别名:TK5A65W,S5X(M
TK5A65WS5X
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9N65M2
仓库库存编号:
497-15037-5-ND
别名:497-15037-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6.8A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A65W,S5X
仓库库存编号:
TK7A65WS5X-ND
别名:TK7A65W,S5X(M
TK7A65WS5X
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 85W(Tc) TO-220
型号:
STP11N65M2
仓库库存编号:
497-15039-5-ND
别名:497-15039-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP7N65M2
仓库库存编号:
497-15041-5-ND
别名:497-15041-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF7N65M2
仓库库存编号:
497-15036-5-ND
别名:497-15036-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF13N65M2
仓库库存编号:
497-15532-5-ND
别名:497-15532-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5.8A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A65W,S5X
仓库库存编号:
TK6A65WS5X-ND
别名:TK6A65W,S5X(M
TK6A65WS5X
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF11N65M2
仓库库存编号:
497-15034-5-ND
别名:497-15034-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7.8A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK8A65W,S5X
仓库库存编号:
TK8A65WS5X-ND
别名:TK8A65W,S5X(M
TK8A65WS5X
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA65R380E6
仓库库存编号:
IPA65R380E6-ND
别名:IPA65R380E6XKSA1
SP000795282
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R380E6
仓库库存编号:
IPP65R380E6-ND
别名:IPP65R380E6XKSA1
SP000795280
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.4A
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6N65K3
仓库库存编号:
497-12424-ND
别名:497-12424
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA6N65E-E3
仓库库存编号:
SIHA6N65E-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 85W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU11N65M2
仓库库存编号:
497-15043-5-ND
别名:497-15043-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 10A 650V TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 2W(Ta), 156W(Tc) TO-220
型号:
CDM22010-650 SL
仓库库存编号:
CDM22010-650 SL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 85W(Tc) TO-220
型号:
STP11N65M5
仓库库存编号:
497-13170-ND
别名:497-13170
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 9.3A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK9A65W,S5X
仓库库存编号:
TK9A65WS5X-ND
别名:TK9A65W,S5X(M
TK9A65WS5X
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU16N65M2
仓库库存编号:
497-15248-5-ND
别名:497-15248-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP16N65M2
仓库库存编号:
497-15275-5-ND
别名:497-15275-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF16N65M2
仓库库存编号:
497-15269-5-ND
别名:497-15269-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190C6XKSA1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12N65M5
仓库库存编号:
497-10569-5-ND
别名:497-10569-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 180W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA12N65X2
仓库库存编号:
IXTA12N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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