规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK14E65W5,S1X
仓库库存编号:
TK14E65W5S1X-ND
别名:TK14E65W5,S1X(S
TK14E65W5S1X
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 390W(Tc) TO-220
型号:
IXFP22N65X2
仓库库存编号:
IXFP22N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 390W(Tc) TO-247
型号:
IXFH22N65X2
仓库库存编号:
IXFH22N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP14NM65N
仓库库存编号:
497-7024-5-ND
别名:497-7024-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 27.6A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK28A65W,S5X
仓库库存编号:
TK28A65WS5X-ND
别名:TK28A65W,S5X(M
TK28A65WS5X
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
STW21N65M5
仓库库存编号:
497-10654-5-ND
别名:497-10654-5
STW21N65M5-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 46A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 660W(Tc) TO-247
型号:
IXFH46N65X2
仓库库存编号:
IXFH46N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 62A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 780W(Tc) TO-247
型号:
IXTH62N65X2
仓库库存编号:
IXTH62N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Transphorm
MOSFET N-CH GANFET 650V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 81W(Tc) TO-220AB
型号:
TPH3206PSB
仓库库存编号:
TPH3206PSB-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF57N65M5
仓库库存编号:
497-13103-5-ND
别名:497-13103-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 1040W(Tc) TO-264
型号:
IXFK100N65X2
仓库库存编号:
IXFK100N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:
IXTH80N65X2
仓库库存编号:
IXTH80N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 42A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 250W(Tc) TO-247-4L
型号:
STW57N65M5-4
仓库库存编号:
497-13667-5-ND
别名:497-13667-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX120N65X2
仓库库存编号:
IXTX120N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1250W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK120N65X2
仓库库存编号:
IXTK120N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1250W(Tc) TO-264
型号:
IXFK120N65X2
仓库库存编号:
IXFK120N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 108A(Tc) 890W(Tc) SOT-227
型号:
IXFN120N65X2
仓库库存编号:
IXFN120N65X2-ND
别名:632519
IXFN120N65X2X
IXFN120N65X2X-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.1A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN65R650CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAN65R650CEXKSA1-ND
别名:SP001508828
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7N65C
仓库库存编号:
FQPF7N65C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R600P7XKSA1-ND
别名:SP001606032
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R360P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R360P7SXKSA1-ND
别名:SP001606074
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R360P7XKSA1-ND
别名:SP001606040
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R360P7XKSA1-ND
别名:SP001606036
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD7N65M2
仓库库存编号:
497-15050-1-ND
别名:497-15050-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD9N65M2
仓库库存编号:
497-15051-1-ND
别名:497-15051-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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