规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681040
SPP11N60C3
SPP11N60C3BKSA1
SPP11N60C3IN
SPP11N60C3IN-ND
SPP11N60C3X
SPP11N60C3XIN
SPP11N60C3XIN-ND
SPP11N60C3XK
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK14E65W,S1X
仓库库存编号:
TK14E65WS1X-ND
别名:TK14E65W,S1X(S
TK14E65W,S1X-ND
TK14E65WS1X
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 190W(Tc) I2PAK
型号:
STI33N65M2
仓库库存编号:
497-15551-5-ND
别名:497-15551-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24.3A(Tc) 240W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW24N60C3
仓库库存编号:
SPW24N60C3IN-ND
别名:SP000014695
SPW24N60C3-ND
SPW24N60C3FKSA1
SPW24N60C3IN
SPW24N60C3X
SPW24N60C3XK
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 8.35W(Ta) ITO-220AB
型号:
DMG4N65CTI
仓库库存编号:
DMG4N65CTIDI-ND
别名:DMG4N65CTIDI
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 28W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA65R650CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R650CEXKSA1-ND
别名:SP001295804
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB6N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHB6N65E-GE3CT-ND
别名:SIHB6N65E-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 2.19W(Ta) TO-220-3
型号:
DMG4N65CT
仓库库存编号:
DMG4N65CTDI-ND
别名:DMG4N65CTDI
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 13W(Tc) ITO-220AB
型号:
DMG9N65CTI
仓库库存编号:
DMG9N65CTIDI-ND
别名:DMG9N65CTIDI
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 55W(Tc) TO-252
型号:
IXTY2N65X2
仓库库存编号:
IXTY2N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
IXTP8N65X2
仓库库存编号:
IXTP8N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 80W(Tc) TO-252
型号:
IXTY4N65X2
仓库库存编号:
IXTY4N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 55W(Tc) TO-220
型号:
IXTP2N65X2
仓库库存编号:
IXTP2N65X2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP12N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHP12N65E-GE3-ND
别名:SIHP12N65E-GE3CT
SIHP12N65E-GE3CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF6N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHF6N65E-GE3-ND
别名:SIHF6N65E-GE3CT
SIHF6N65E-GE3CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF8N65M5
仓库库存编号:
497-11398-5-ND
别名:497-11398-5
STF8N65M5-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF15N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHF15N65E-GE3-ND
别名:SIHF15N65E-GE3CT
SIHF15N65E-GE3CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF22N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHF22N65E-GE3-ND
别名:SIHF22N65E-GE3CT
SIHF22N65E-GE3CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N65E-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP24N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHP24N65E-GE3-ND
别名:SIHP24N65E-GE3CT
SIHP24N65E-GE3CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ32N65X
仓库库存编号:
IXTQ32N65X-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG24N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHG24N65E-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 320W(Tc) TO-220
型号:
IXTP20N65X
仓库库存编号:
IXTP20N65X-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 52A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 660W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH52N65X
仓库库存编号:
IXTH52N65X-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 650 V, 0.014 OHM TYP.,
详细描述:底座安装 N 沟道 130A(Tc) 672W(Tc) ISOTOP
型号:
STE139N65M5
仓库库存编号:
497-16942-ND
别名:497-16942
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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