规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:
IXFH80N65X2
仓库库存编号:
IXFH80N65X2-ND
别名:632463
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R045C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R045C7XKSA1-ND
别名:SP000929422
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 20A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 96W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3208LS
仓库库存编号:
TPH3208LS-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247
型号:
IPZ65R045C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ65R045C7XKSA1-ND
别名:SP001024004
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 330W(Tc) TO-247
型号:
STW62N65M5
仓库库存编号:
497-13890-5-ND
别名:497-13890-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R045CP
仓库库存编号:
IPW60R045CPIN-ND
别名:IPW60R045CP-ND
IPW60R045CPFKSA1
IPW60R045CPIN
IPW60R045CPXK
IPW60R045CSX
SP000067149
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 27A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 104W(Tc) TO-220
型号:
TPH3212PS
仓库库存编号:
TPH3212PS-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 595W(Tc) TO-247 长引线
型号:
FCH023N65S3_F155
仓库库存编号:
FCH023N65S3_F155-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD13N65M2
仓库库存编号:
497-15460-1-ND
别名:497-15460-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB07N60C3
仓库库存编号:
SPB07N60C3INCT-ND
别名:SPB07N60C3INCT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.4A(Tc) 104.2W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R310CFD
仓库库存编号:
IPB65R310CFDCT-ND
别名:IPB65R310CFDCT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.1A(Tc) 208.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R250C6XTMA1
仓库库存编号:
IPD65R250C6XTMA1CT-ND
别名:IPD65R250C6XTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB11N60C3
仓库库存编号:
SPB11N60C3INCT-ND
别名:SPB11N60C3INCT
SPB11N60C3XTINCT
SPB11N60C3XTINCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA04N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA04N60C3XKSA1-ND
别名:SP000216299
SPA04N60C3
SPA04N60C3IN
SPA04N60C3IN-ND
SPA04N60C3XK
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU13N65M2
仓库库存编号:
497-15574-5-ND
别名:497-15574-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA07N60C3
仓库库存编号:
SPA07N60C3IN-ND
别名:SP000216303
SPA07N60C3IN
SPA07N60C3XK
SPA07N60C3XKSA1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A65D(STA4QM)-ND
别名:TK6A65D(STA4QM)
TK6A65DSTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP18N65M2
仓库库存编号:
497-15557-5-ND
别名:497-15557-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R250CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R250CPXKSA1-ND
别名:IPP60R250CP
IPP60R250CPAKSA1
IPP60R250CPIN
IPP60R250CPIN-ND
IPP60R250CPXK
SP000358136
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N65APBF
仓库库存编号:
IRFB9N65APBF-ND
别名:*IRFB9N65APBF
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) TO-247
型号:
TK14N65W,S1F
仓库库存编号:
TK14N65WS1F-ND
别名:TK14N65W,S1F(S
TK14N65W,S1F-ND
TK14N65WS1F
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 22.4A(Tc) 34.7W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R150CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R150CFDXKSA1-ND
别名:SP000907026
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI15NM65N
仓库库存编号:
497-13951-5-ND
别名:497-13951-5
STFI15NM65N-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta),22.5A(Tc) 2.8W(Ta),150W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL38N65M5
仓库库存编号:
497-13878-1-ND
别名:497-13878-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3
型号:
STP16N65M5
仓库库存编号:
497-8788-5-ND
别名:497-8788-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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