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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099CP
  仓库库存编号：IPW60R099CP-ND
  别名：IPW60R099CPFKSA1
  IPW60R099CPXK
  IPW60R099CSX
  SP000067147
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 53.5A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R070C6
  仓库库存编号：IPW65R070C6-ND
  别名：IPW65R070C6FKSA1
  SP000745034
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 48A
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 360W（Tc） TO-247
  
  型号：STW56N65DM2
  仓库库存编号：497-16337-5-ND
  别名：497-16337-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 48A
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 360W（Tc） TO-247
  
  型号：STW58N65DM2AG
  仓库库存编号：497-16137-5-ND
  别名：497-16137-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 84A
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 450W（Tc） TO-247-4L
  
  型号：STW88N65M5-4
  仓库库存编号：497-16334-5-ND
  别名：497-16334-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK560P65Y,RQ
  仓库库存编号：TK560P65YRQCT-ND
  别名：TK560P65YRQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 9.7A（Tc） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK380P65Y,RQ
  仓库库存编号：TK380P65YRQCT-ND
  别名：TK380P65YRQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6.8A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK7P65W,RQ
  仓库库存编号：TK7P65WRQCT-ND
  别名：TK7P65WRQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R600C6
  仓库库存编号：IPD65R600C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R600C6CT
  IPD65R600C6CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-251
  
  型号：IPS65R1K5CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS65R1K5CEAKMA1-ND
  别名：SP001276050
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.5A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK290P65Y,RQ
  仓库库存编号：TK290P65YRQCT-ND
  别名：TK290P65YRQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 70W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM4NB65CH C5G
  仓库库存编号：TSM4NB65CH C5G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 9.3A（Ta） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK9P65W,RQ
  仓库库存编号：TK9P65WRQCT-ND
  别名：TK9P65WRQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.1A（Ta） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK11P65W,RQ
  仓库库存编号：TK11P65WRQCT-ND
  别名：TK11P65WRQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 28W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS65R1K4C6AKMA1
  仓库库存编号：IPS65R1K4C6AKMA1-ND
  别名：SP000991120
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 5.6A（Tc） 74W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIHJ6N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHJ6N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHJ6N65E-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.1A（Tc） 96W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R299CP
  仓库库存编号：IPL60R299CPCT-ND
  别名：IPL60R299CPCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP9N65M2
  仓库库存编号：497-15042-5-ND
  别名：497-15042-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU07N60C3
  仓库库存编号：SPU07N60C3IN-ND
  别名：SP000101635
  SPU07N60C3-ND
  SPU07N60C3BKMA1
  SPU07N60C3IN
  SPU07N60C3X
  SPU07N60C3XK
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB16N65M5
  仓库库存编号：497-11235-1-ND
  别名：497-11235-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N65E-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI15N65M5
  仓库库存编号：497-13161-ND
  别名：497-13161
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB14NM65N
  仓库库存编号：497-7000-1-ND
  别名：497-7000-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190E6XKSA1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.4A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP9NK65ZFP
  仓库库存编号：497-12621-5-ND
  别名：497-12621-5
  STP9NK65ZFP-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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