规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.85A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD2NK100Z
仓库库存编号:
497-7964-1-ND
别名:497-7964-1
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 90W(Tc) DPAK
型号:
STD3NK100Z
仓库库存编号:
497-7967-1-ND
别名:497-7967-1
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Tc) 90W(Tc) DPAK
型号:
STD4NK100Z
仓库库存编号:
497-16035-1-ND
别名:497-16035-1
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP5NK100Z
仓库库存编号:
497-4382-5-ND
别名:497-4382-5
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N100TM
仓库库存编号:
FQD2N100TMCT-ND
别名:FQD2N100TMCT
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF5NK100Z
仓库库存编号:
497-4344-5-ND
别名:497-4344-5
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP8NK100Z
仓库库存编号:
497-5021-5-ND
别名:497-5021-5
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 8.3A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3
型号:
STW11NK100Z
仓库库存编号:
497-3255-5-ND
别名:497-3255-5
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Cree/Wolfspeed
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
详细描述:N 沟道 35A(Tc) 113.5W(Tc) TO-247-4L
型号:
C3M0065100K
仓库库存编号:
C3M0065100K-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N100
仓库库存编号:
IXFH12N100-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 1135W(Tc) TO-264
型号:
APT37M100L
仓库库存编号:
APT37M100L-ND
别名:APT37M100LMI
APT37M100LMI-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG20PBF
仓库库存编号:
IRFBG20PBF-ND
别名:*IRFBG20PBF
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG30PBF
仓库库存编号:
IRFBG30PBF-ND
别名:*IRFBG30PBF
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY08N100D2
仓库库存编号:
IXTY08N100D2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF8NK100Z
仓库库存编号:
497-5007-5-ND
别名:497-5007-5
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 6.1A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG50PBF
仓库库存编号:
IRFPG50PBF-ND
别名:*IRFPG50PBF
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP01N100D
仓库库存编号:
IXTP01N100D-ND
别名:607074
Q1614635
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Cree/Wolfspeed
1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 83W(Tc) TO-247-4L
型号:
C3M0120100K
仓库库存编号:
C3M0120100K-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH6N100
仓库库存编号:
IXFH6N100-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 36A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN36N100
仓库库存编号:
IXFN36N100-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 225W(Tc) TO-247
型号:
FQH8N100C
仓库库存编号:
FQH8N100C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA4N100Q-TRL
仓库库存编号:
IXFA4N100Q-TRLCT-ND
别名:IXFA4N100Q-TRLCT
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG40PBF
仓库库存编号:
IRFPG40PBF-ND
别名:*IRFPG40PBF
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 225W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA8N100C
仓库库存编号:
FQA8N100CFS-ND
别名:FQA8N100C-ND
FQA8N100CFS
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N100D2
仓库库存编号:
IXTH6N100D2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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