规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(286)
分立半导体产品
(286)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (7)
IXYS (170)
Microsemi Corporation (63)
Fairchild/ON Semiconductor (5)
STMicroelectronics (17)
Taiwan Semiconductor Corporation (7)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (12)
Cree/Wolfspeed (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 23A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN23N100
仓库库存编号:
IXFN23N100-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 26A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT26M100JCU2
仓库库存编号:
APT26M100JCU2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 26A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT26M100JCU3
仓库库存编号:
APT26M100JCU3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 550W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL34N100
仓库库存编号:
IXFL34N100-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 28A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10035B2FLLG
仓库库存编号:
APT10035B2FLLG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 21A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN21N100
仓库库存编号:
IXTN21N100-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 21A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE23N100
仓库库存编号:
IXFE23N100-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 30A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE34N100
仓库库存编号:
IXFE34N100-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 38A(Tc) 890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB38N100Q2
仓库库存编号:
IXFB38N100Q2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 30A(Tc) 694W(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1F44N100Q3
仓库库存编号:
MMIX1F44N100Q3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 23A(Tc) 595W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN26N100P
仓库库存编号:
IXFN26N100P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 38A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N100Q3
仓库库存编号:
IXFN44N100Q3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 25A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10035JLL
仓库库存编号:
APT10035JLL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 34A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN34N100
仓库库存编号:
IXFN34N100-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 800W(Tc) PLUS264?
型号:
IXTB30N100L
仓库库存编号:
IXTB30N100L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 33A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE36N100
仓库库存编号:
IXFE36N100-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 45A(Tc) 960W(Tc) SOT-227
型号:
APT45M100J
仓库库存编号:
APT45M100J-ND
别名:APT45M100JMI
APT45M100JMI-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 43A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM100DA18TG
仓库库存编号:
APTM100DA18TG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 43A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM100SK18TG
仓库库存编号:
APTM100SK18TG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 78A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM100DAM90G
仓库库存编号:
APTM100DAM90G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 78A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM100SKM90G
仓库库存编号:
APTM100SKM90G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 145A(Tc) 3250W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM65DAG
仓库库存编号:
APTM100UM65DAG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 129A(Tc) 2272W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM60FAG
仓库库存编号:
APTM100UM60FAG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 215A(Tc) 5000W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM45FAG
仓库库存编号:
APTM100UM45FAG-ND
别名:APTM100UM45FAGMI
APTM100UM45FAGMI-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 145A(Tc) 3250W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM65SCAVG
仓库库存编号:
APTM100UM65SCAVG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号