规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT17F100B
仓库库存编号:
APT17F100B-ND
别名:APT17F100BMI
APT17F100BMI-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 690W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH15N100Q3
仓库库存编号:
IXFH15N100Q3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH18N100Q3
仓库库存编号:
IXFH18N100Q3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N100Q2
仓库库存编号:
IXFH14N100Q2-ND
别名:608166
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 22A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN22N100L
仓库库存编号:
IXTN22N100L-ND
别名:611085
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-268(IXFT)
型号:
IXFT6N100F
仓库库存编号:
IXFT6N100F-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK24N100
仓库库存编号:
IXFK24N100-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP08N100D2
仓库库存编号:
IXTP08N100D2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY01N100D
仓库库存编号:
IXTY01N100D-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
STW5NK100Z
仓库库存编号:
497-7623-5-ND
别名:497-7623-5
STW5NK100Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP4N100Q
仓库库存编号:
IXFP4N100Q-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 38A(Tc) 1000W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN38N100P
仓库库存编号:
IXFN38N100P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 380W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL38N100Q2
仓库库存编号:
IXFL38N100Q2-ND
别名:614235
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA08N100D2
仓库库存编号:
IXTA08N100D2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG30PBF
仓库库存编号:
IRFPG30PBF-ND
别名:*IRFPG30PBF
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP3N100D2
仓库库存编号:
IXTP3N100D2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 125W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA3N100D2
仓库库存编号:
IXTA3N100D2-ND
别名:623496
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT8M100B
仓库库存编号:
APT8M100B-ND
别名:APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA6N100D2
仓库库存编号:
IXTA6N100D2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX32N100P
仓库库存编号:
IXFX32N100P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT29F100B2
仓库库存编号:
APT29F100B2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK32N100Q3
仓库库存编号:
IXFK32N100Q3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 37A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10021JLL
仓库库存编号:
APT10021JLL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA05N100
仓库库存编号:
IXTA05N100-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 139W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1003RBLLG
仓库库存编号:
APT1003RBLLG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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