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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX?
  
  型号：APT56M50B2
  仓库库存编号：APT56M50B2-ND
  别名：APT56M50B2MI
  APT56M50B2MI-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX80N50P
  仓库库存编号：IXFX80N50P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R650CE
  仓库库存编号：IPD50R650CECT-ND
  别名：IPD50R650CECT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 26W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R3K0CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R3K0CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD50R3K0CEAUMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R1K4CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R1K4CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R1K4CEBTMA1CT
  IPD50R1K4CECT
  IPD50R1K4CECT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R800CEATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 69W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R650CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R650CEATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R800CE
  仓库库存编号：IPD50R800CECT-ND
  别名：IPD50R800CECT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.1A（Tc） 98W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R380CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R380CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD50R380CEAUMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Tc） 98W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R380CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R380CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R380CEATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R500CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R500CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R500CEIN
  IPD50R500CEIN-ND
  IPD50R500CEINCT
  IPD50R500CEINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD03N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD03N50C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD03N50C3ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD08N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD08N50C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD08N50C3ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 17A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R199CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R199CPXKSA1-ND
  别名：IPI50R199CP
  IPI50R199CP-ND
  SP000523756
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP9NK50ZFP
  仓库库存编号：497-12057-5-ND
  别名：497-12057-5
  STP9NK50ZFP-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N50P
  仓库库存编号：IXFN80N50P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N50P
  仓库库存编号：IXFN100N50P-ND
  别名：615236
  Q3394492
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF820PBF
  仓库库存编号：IRF820PBF-ND
  别名：*IRF820PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840BPBF
  仓库库存编号：IRF840BPBF-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N50CF
  仓库库存编号：FQPF9N50CFFS-ND
  别名：FQPF9N50CF-ND
  FQPF9N50CFFS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N50T
  仓库库存编号：FDPF12N50T-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF820APBF
  仓库库存编号：IRF820APBF-ND
  别名：*IRF820APBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY08N50D2
  仓库库存编号：IXTY08N50D2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP08N50D2
  仓库库存编号：IXTP08N50D2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP9NK50Z
  仓库库存编号：497-3203-5-ND
  别名：497-3203-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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