规格:漏源电压(Vdss) 500V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 780W(Tc) T-MAX?
型号:
APT56M50B2
仓库库存编号:
APT56M50B2-ND
别名:APT56M50B2MI
APT56M50B2MI-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 1040W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX80N50P
仓库库存编号:
IXFX80N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R650CE
仓库库存编号:
IPD50R650CECT-ND
别名:IPD50R650CECT
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 26W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R3K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R3K0CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R3K0CEAUMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.1A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R1K4CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R1K4CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R1K4CEBTMA1CT
IPD50R1K4CECT
IPD50R1K4CECT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R800CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R800CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R800CEATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 69W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R650CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R650CEATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R800CE
仓库库存编号:
IPD50R800CECT-ND
别名:IPD50R800CECT
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.1A(Tc) 98W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R380CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R380CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R380CEAUMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.9A(Tc) 98W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R380CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R380CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R380CEATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R500CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEIN
IPD50R500CEIN-ND
IPD50R500CEINCT
IPD50R500CEINCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD03N50C3ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD08N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD08N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD08N50C3ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 17A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R199CPXKSA1-ND
别名:IPI50R199CP
IPI50R199CP-ND
SP000523756
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP9NK50ZFP
仓库库存编号:
497-12057-5-ND
别名:497-12057-5
STP9NK50ZFP-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 66A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN80N50P
仓库库存编号:
IXFN80N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 90A(Tc) 1040W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N50P
仓库库存编号:
IXFN100N50P-ND
别名:615236
Q3394492
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF820PBF
仓库库存编号:
IRF820PBF-ND
别名:*IRF820PBF
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.7A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840BPBF
仓库库存编号:
IRF840BPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 44W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N50CF
仓库库存编号:
FQPF9N50CFFS-ND
别名:FQPF9N50CF-ND
FQPF9N50CFFS
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF12N50T
仓库库存编号:
FDPF12N50T-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF820APBF
仓库库存编号:
IRF820APBF-ND
别名:*IRF820APBF
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY08N50D2
仓库库存编号:
IXTY08N50D2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP08N50D2
仓库库存编号:
IXTP08N50D2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP9NK50Z
仓库库存编号:
497-3203-5-ND
别名:497-3203-5
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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